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1. (WO2005106981) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/106981    International Application No.:    PCT/JP2005/008551
Publication Date: 10.11.2005 International Filing Date: 28.04.2005
IPC:
H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8518 (JP) (For All Designated States Except US).
MIKI, Hisayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
BANDO, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UDAGAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MIKI, Hisayuki; (JP).
BANDO, Akira; (JP).
UDAGAWA, Takashi; (JP)
Agent: FUKUDA, Kenzo; Kashiwaya Bldg., 6-13, Nishishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Priority Data:
2004-132784 28.04.2004 JP
60/570,500 13.05.2004 US
2005-017991 26.01.2005 JP
Title (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE DE GROUPE III
Abstract: front page image
(EN)A Group III nitride semiconductor light-emitting device provided on a crystal substrate with an n-type and p-type Group III nitride semiconductor of AlXGaYInZN1-aMa, wherein 0 ≤ X ≤ 1, 0 ≤ Y ≤ 1, 0 ≤ Z ≤ 1, X + Y + Z = 1, M denotes a Group V element other than N and 0 ≤ a < 1, includes an n-type electrode contact layer of Group III nitride semiconductor including a region doped with Ge and a light-emitting layer including a region undoped or doped with at least one element selected from the group consisting of Si, C, Sn and Pb.
(FR)Il est prévu un dispositif électroluminescent semi-conducteur de nitrure de groupe III disposé sur un substrat de cristal avec un semi-conducteur de nitrure de groupe III de type n et de type p de AlXGaYInZN1-aMa, où 0 ≤ X ≤ 1, 0 ≤ Y ≤ 1, 0 ≤ Z ≤ 1, X + Y + Z = 1 M dénote un élément de groupe V autre que N et 0 ≤ a < 1, comporte une couche de contact d’électrode de type n de semi-conducteur de nitrure de groupe III contenant une région dopée au Ge et une couche électroluminescente contenant une région dopée ou non dopée avec au moins un élément sélectionné parmi le groupe consistant en Si, C, Sn et Pb.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)