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1. (WO2005106980) COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/106980    International Application No.:    PCT/JP2005/008459
Publication Date: 10.11.2005 International Filing Date: 27.04.2005
IPC:
H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01)
Applicants: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8518 (JP) (For All Designated States Except US).
UDAGAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: UDAGAWA, Takashi; (JP)
Agent: SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 104-8453 (JP)
Priority Data:
2004-133515 28.04.2004 JP
60/569,649 11.05.2004 US
Title (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR A COMPOSÉ
Abstract: front page image
(EN)This pn-junction compound semiconductor light-emitting device includes a crystal substrate; an n-type light-emitting layer formed of a hexagonal n-type Group III nitride semiconductor and provided on the crystal substrate; a p-type Group III nitride semiconductor layer formed of a hexagonal p-type Group III nitride semiconductor and provided on the n-type light-emitting layer; a p-type boron-phosphide-based semiconductor layer having a sphalerite crystal type and provided on the p-type Group III nitride semiconductor layer; and a thin-film layer composed of an undoped hexagonal Group III nitride semiconductor formed on the p-type Group III nitride semiconductor layer, wherein the p-type boron-phosphide-based semiconductor layer is joined to the thin-film layer composed of an undoped hexagonal Group III nitride semiconductor.
(FR)Ce dispositif électroluminescent à semi-conducteur à composé de jonction pn comporte un substrat de cristal ; une couche électroluminescente de type n formée d’un semi-conducteur de nitrure de groupe III de type n hexagonal et prévue sur le substrat de cristal ; une couche semi-conductrice de nitrure de groupe III de type p formée d’un semi-conducteur de nitrure de groupe III de type p hexagonal et prévu sur la couche électroluminescente de type n, une couche semi-conductrice à base de phosphure de bore de type p ayant un type de cristal de galène fausse et pourvue sur la couche semi-conductrice de nitrure de groupe III de type p ; et une couche de film mince composée d'un semi-conducteur de nitrure de groupe III hexagonal non dopé formé sur la couche semi-conductrice de nitrure de groupe III de type p, où la couche semi-conductrice à base de phosphure de bore de type p est jointe à la couche de film mince composée d'un semi-conducteur de nitrure de groupe III hexagonal non dopé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)