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1. (WO2005106961) MOS CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/106961    International Application No.:    PCT/JP2005/008087
Publication Date: 10.11.2005 International Filing Date: 21.04.2005
IPC:
G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
KATO, KIYOSHI [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIONOIRI, YUTAKA [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KATO, KIYOSHI; (JP).
SHIONOIRI, YUTAKA; (JP)
Priority Data:
2004-132813 28.04.2004 JP
Title (EN) MOS CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CONDENSATEUR MOS ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A capacitor capable of functioning as a capacitor even when an AC voltage is applied thereto is provided without increasing the manufacturing steps of a semiconductor device. A transistor is used as a MOS capacitor where a pair of impurity regions formed on opposite sides of a channel formation region are each doped with impurities of different conductivity so as to be used as a source region or a drain region. Specifically, assuming that an impurity region that is doped with N-type impurities is referred to as an N-type region while an impurity region that is doped with P-type impurities is referred to as a P-type region, a transistor is provided where a channel formation region is interposed between the N-type region and the P-type region, which is used as a MOS capacitor.
(FR)Il est prévu un condensateur capable de fonctionner comme condensateur même si l’on applique une tension CA à celui-ci sans augmenter les phases de fabrication d’un dispositif semi-conducteur. On utilise un transistor comme condensateur MOS, tandis qu’une paire de régions d’impuretés formées sur des côtés opposés d’un région de formation de canal sont chacune dopée en impuretés de conductivité différente pour faire office de région de source ou de région de drain. Spécifiquement, en supposant qu’une région d’impureté dopée en impuretés de type N soit référencée comme région de type N tandis qu’une région d’impureté dopée en impuretés de type P soit référencée comme région de type P, un transistor est prévu à l’endroit où une région de formation de canal est interposée entre la région de type N et la région de type P, servant alors de condensateur MOS.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)