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1. (WO2005106960) CO-PLANAR THIN FILM TRANSISTOR HAVING ADDITIONAL SOURCE/DRAIN INSULATION LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/106960    International Application No.:    PCT/IB2005/051358
Publication Date: 10.11.2005 International Filing Date: 26.04.2005
IPC:
H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
WHIGHT, Kenneth, R. [GB/GB]; (GB) (For US Only).
FRENCH, Ian, D. [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: WHIGHT, Kenneth, R.; (GB).
FRENCH, Ian, D.; (GB)
Agent: WILLIAMSON, Paul, L.; c/o Philips Intellectual Property & Standards, Cross Oak Lane, Redhill Surrey RH1 5HA (GB)
Priority Data:
0409439.7 28.04.2004 GB
Title (EN) CO-PLANAR THIN FILM TRANSISTOR HAVING ADDITIONAL SOURCE/DRAIN INSULATION LAYER
(FR) TRANSISTOR A FILM MINCE COPLANAIRE POSSEDANT UNE COUCHE D'ISOLATION DE SOURCE/DRAIN SUPPLEMENTAIRE
Abstract: front page image
(EN)A co-planar thin film transistor, TFT (22), and a method of fabricating the same, in which an additional insulating layer is provided on the source contact (30) and the drain contact (32) and defined such that a first region (34) of the additional insulating layer occupies substantially the same area as the source contact (30) and a second region (36) of the additional insulating layer occupies substantially the same area as the drain contact (32). This tends to provide a reduction in the gate (62) to source capacitance, and the gate (62) to drain capacitance. In some geometries this can be achieved without any additional masks or defining steps.
(FR)L'invention concerne un transistor à film mince coplanaire TFT (22) et son procédé de fabrication, au cours duquel une couche d'isolation supplémentaire est disposée sur le contact de source (30) et le contact de drain (32) et est formée de telle manière qu'une première région (34) de la couche d'isolation supplémentaire (36) occupe pratiquement la même zone que le contact de source (30) et une seconde région (36) de la couche d'isolation supplémentaire occupe pratiquement la même zone que le contact de drain (32). Il est ainsi possible d'engendrer une diminution, d'une part, de la grille (62) par rapport à la capacitance de source et, d'autre part, de la grille (62) par rapport à la capacitance du drain. Dans certaines représentations géométriques, ceci peut être obtenu sans ajouter de quelconques masques ou étapes de définition supplémentaires.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)