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1. (WO2005106508) DIAGNOSTIC SYSTEM FOR PROFILING MICRO-BEAMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/106508    International Application No.:    PCT/US2005/014655
Publication Date: 10.11.2005 International Filing Date: 28.04.2005
Chapter 2 Demand Filed:    16.06.2005    
IPC:
G01J 1/00 (2006.01), G01R 19/00 (2006.01), G03C 5/00 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, Oakland, CA 94607 (US) (For All Designated States Except US).
ELMER, John, W. [US/US]; (US) (For US Only).
PALMER, Todd, A. [US/US]; (US) (For US Only).
TERUYA, Alan, T. [US/US]; (US) (For US Only).
WALTON, Chris, C. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ELMER, John, W.; (US).
PALMER, Todd, A.; (US).
TERUYA, Alan, T.; (US).
WALTON, Chris, C.; (US)
Agent: SCOTT, Eddie, E.; P.O. Box 808, L-703, Livermore, CA 94551 (US)
Priority Data:
60/566,544 28.04.2004 US
11/116,697 27.04.2005 US
Title (EN) DIAGNOSTIC SYSTEM FOR PROFILING MICRO-BEAMS
(FR) SYSTEME DIAGNOSTIC POUR PROFILAGE DE MICRO-FAISCEAUX
Abstract: front page image
(EN)An apparatus for characterization of a micro beam comprising a micro modified Faraday cup assembly (102) including a first layer (201) of material, a second layer (202) of material operatively connected to the first layer of material, a third layer (203) of material operatively connected to the second layer (202) of material, and a fourth layer (204) of material operatively connected to the third layer (203) of material. The first layer (201) of material comprises an electrical conducting material and has at least one first layer radial slit extending through the first layer. An electrical ground is connected to the first layer. The second layer (202) of material comprises an insulating material and has at least one second layer radial slit corresponding to the first layer radial slit in the first layer of material. The second layer radial slit extends through the second layer. The third layer of material comprises a conducting mAn apparatus for characterization of a micro beam comprising a micro modified Faraday cup assembly including a first layer of material, a second layer of material operatively connected to the first layer layer of material, a third layer of material operatively connected to the second layer of material, and a fourth layer of material operatively connected to the third layer of material. The first layer of material comprises an electrical conducting material and has at least one first layer radial slit extending through the first layer. An electrical ground is connected to the first layer. The second layer of material comprises an insulating material and has at least one second layer radial slit corresponding to the first layer radial slit in the first layer of material. The second layer radial slit extends through the second layer. The third layer of material comprises a conducting material and has at least one third layer radial slit corresponding to the second layer radial slit in the second layer of material. The third layer radial slit extends through the third layer. The fourth layer of material comprises an electrical conducting material but does not have slits. An electrically measuring device is connected to the fourth layer. The micro modified Faraday cup assembly is positioned to be swept by the micro beam.
(FR)Un appareil de caractérisation d'un micro-faisceau comprenant un micro-ensemble de chambre d'ionisation de Faraday modifié comprenant une première couche de matière, une deuxième couche de matière connectée opérationnellement sur la première couche de matière, une troisième couche de matière connectée de façon opérationnelle sur la seconde couche de matière, et une quatrième couche de matière connectée de manière opérationnelle sur la troisième couche de matière. La première couche de matière comporte une matière conductrice d'électricité et présente au moins une première fente radiale s'étendant à travers la première couche. Une masse électrique est connectée à la première couche. La deuxième couche de matière renferme une matière d'isolation et présente au moins une seconde fente radiale correspondant à la première fente radiale de la première couche de matière. La deuxième fente radiale s'étend à travers la deuxième couche. La troisième couche de matière renferme une matière conductrice et présente au moins une troisième fente radiale correspondant à la deuxième fente radiale dans la deuxième couche de matière. La troisième fente radiale s'étend à travers la troisième couche. La quatrième couche de matière comprend une matière conductrice d'électricité mais ne présente pas de fente. Un dispositif de mesure électrique est connecté à la quatrième couche. Le micro-ensemble de chambre d'ionisation Faraday modifié est placé de manière à être balayé par le micro-faisceau.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)