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Pub. No.:    WO/2005/104318    International Application No.:    PCT/JP2005/008327
Publication Date: 03.11.2005 International Filing Date: 25.04.2005
H01S 5/22 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 33-8, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1080014 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIMOYAMA, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUKADA, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOKUMITSU, Yoji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARAI, Nobuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KURIHARA, Kaori [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIMOYAMA, Kenji; (JP).
FUKADA, Takashi; (JP).
ARAI, Nobuhiro; (JP).
Agent: SIKs & Co.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg. 8-7, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0031 (JP)
Priority Data:
2004-127624 23.04.2004 JP
2004-209407 16.07.2004 JP
(JA) 半導体発光装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor light-emitting device having a low element resistance, a low thermal resistance, a low passage resistance and a small operating current and capable of high output operation is characterized in that it comprises a substrate, a first-conductivity-type clad layer, an active layer, a second-conductivity-type first clad layer, a second-conductivity-type second clad layer having a stripe ridge structure, a current block layer so formed on the second-conductivity-type first clad layer as to sandwich the ridge, and a second-conductivity-type third clad layer formed on the ridge of the second-conductivity-type second clad layer and the current block layer in the vicinity of the ridge, all formed sequentially on the substrate and in that the cross section of the ridge perpendicular to the longitudinal direction of the stripe of the ridge structure is a trapezoid satisfying the following relation. 0.05<h/[(a+b)/2]<0.5 (h is the height of the cross section, a is the upper base of the cross section, and b is the lower base of the cross section).
(FR)Il est prévu un dispositif électroluminescent à semi-conducteur ayant une faible résistance élémentaire, une faible résistance thermique, une faible résistance de passage et un faible courant d’exploitation et capable d’un fonctionnement à haut rendement caractérisé en ce qu'il comprend un substrat, une couche de revêtement de premier type de conductivité, une couche active, une première couche de revêtement de second type de conductivité, une seconde couche de revêtement de second type de conductivité ayant une structure à nervures et à rayures, une couche de blocage de courant formée dans la première couche de revêtement de second type de conductivité de façon à prendre la nervure en sandwich, et une troisième couche de revêtement de second type de conductivité formée sur la nervure de la seconde couche de revêtement de second type de conductivité et la couche de blocage de courant au voisinage de la nervure, toutes formées de manière séquentielle sur le substrat et en ce que la section transversale de la nervure perpendiculaire à la direction longitudinale de la structure à nervures et à rayures est un trapézoïde satisfaisant à la relation suivante. 0,05 < h/[(a+b)/2] < 0,5 (h est la hauteur de la section transversale, a est la base supérieure de la section transversale, et b est la base inférieure de la section transversale).
(JA) 基板上に、第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型第1クラッド層、ストライプ状のリッジ構造を有する第2導電型第2クラッド層、該リッジの両側面を挟むように第2導電型第1クラッド層上に形成された電流阻止層、第2導電型第2クラッド層のリッジ上および該リッジ近傍の前記電流阻止層上に形成された第2導電型第3クラッド層を少なくとも有し、前記リッジ構造のストライプ長手方向に直交する横断面が下記式を満足する台形であることを特徴とする、素子抵抗、熱抵抗、通過抵抗および動作電流がいずれも低く、かつ高出力動作が可能な半導体発光装置。0.05<h/[(a+b)/2]<0.5(hは横断面の高さ、aは横断面の上底、bは横断面の下底である。)
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)