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1. (WO2005104236) OPTICAL DEVICES FEATURING TEXTURED SEMICONDUCTOR LAYERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/104236    International Application No.:    PCT/US2005/012849
Publication Date: 03.11.2005 International Filing Date: 15.04.2005
Chapter 2 Demand Filed:    14.02.2006    
IPC:
G02F 1/017 (2006.01), H01L 21/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01)
Applicants: TRUSTEES OF BOSTON UNIVERSITY [US/US]; One Sherborn Street, Boston, MA 02215 (US) (For All Designated States Except US).
MOUSTAKAS, Theodore, D. [US/US]; (US) (For US Only).
CABALU, Jasper, S. [PH/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MOUSTAKAS, Theodore, D.; (US).
CABALU, Jasper, S.; (US)
Agent: GAGNEBIN, Charles, L., III; Weingarten, Schurgin, Gagnebin & Lebovici, LLP, Ten Post Office Square, Boston, MA 02109 (US)
Priority Data:
60/562,489 15.04.2004 US
60/615,047 01.10.2004 US
60/645,704 21.01.2005 US
Title (EN) OPTICAL DEVICES FEATURING TEXTURED SEMICONDUCTOR LAYERS
(FR) DISPOSITIF OPTIQUES COMPORTANT DES COUCHES SEMI-CONDUCTRICES TEXTUREES
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor sensor, solar cell or emitter or a precursor therefore having a substrate and textured semiconductor layer deposited onto the substrate. The layer can be textured as grown on the substrate or textured by replicating a textured substrate surface. The substrate or first layer is then a template for growing and texturing other semiconductor layers from the device. The textured layers are replicated to the surface from the substrate to enhance light extraction or light absorption. Multiple quantum wells, comprising several barrier and quantum well layers, are deposited as alternating textured layers. The texturing in the region of the quantum well layers greatly enhances internal quantum efficiency if the semiconductor is polar and the quantum wells are grown along the polar direction. This is the case in nitride semiconductors grown along the polar [0001] or [000-1] directions.
(FR)La présente invention a trait à un capteur, une cellule solaire ou un émetteur à semi-conducteurs ou un précurseur de ceux-ci comportant un substrat et une couche semi-conductrice texturée déposée sur le substrat. La couche peut être texturée telle que produite par croissance sur le substrat ou texturée par la réplication d'une surface de substrat texturée. Le substrat ou première couche constitue alors une matrice pour la croissance et la texturation d'autres couches semi-conductrices à partir du dispositif. Les couches texturées sont produites par réplication à la surface à partir du substrat pour améliorer l'extraction de lumière ou l'absorption de lumière. Une pluralité de puits quantiques, comprenant plusieurs couches barrière et de puits quantiques, sont déposés sous la forme de couches texturées alternées. La texturation dans la région des couches de puits quantiques améliore considérablement l'efficacité quantique si le semi-conducteur est polaire et la croissance des puits quantiques est réalisée selon les directions polaires [0001] ou [000-1]
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)