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Pub. No.:    WO/2005/103830    International Application No.:    PCT/JP2005/007503
Publication Date: 03.11.2005 International Filing Date: 20.04.2005
G03F 7/32 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012 (JP) (For All Designated States Except US).
KOSHIYAMA, Jun [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WAKIYA, Kazumasa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KANEKO, Fumitake [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIYAMOTO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAWADA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAJIMA, Hidekazu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KOSHIYAMA, Jun; (JP).
WAKIYA, Kazumasa; (JP).
KANEKO, Fumitake; (JP).
MIYAMOTO, Atsushi; (JP).
SAWADA, Yoshihiro; (JP).
TAJIMA, Hidekazu; (JP)
Agent: AGATA, Akira; Agata Patent Office 3rd Floor Ikeden Building 12-5, Shimbashi 2-chome Minato-ku Tokyo1050004 (JP)
Priority Data:
2004-129095 23.04.2004 JP
2004-254939 01.09.2004 JP
2004-349197 01.12.2004 JP
(JA) リソグラフィー用リンス液
Abstract: front page image
(EN)A novel rinse solution for lithography to be used for suppressing contraction of a pattern and a method for forming a resist pattern using the rinse solution are provided, by reducing product surface defects of a photoresist pattern and providing the photoresist pattern with resistance to electronic beam irradiation. The rinse solution for lithography composed of a solution including a water-soluble resin having a nitrogen atom in a molecular structure is prepared. The resist pattern is formed with the rinse solution by performing (A) a process of providing a photoresist film on a board, (B) a process of selectively exposing the photoresist film through a mask pattern, (C) a process of performing post exposure bake (PEB), (D) a process of alkaline development, and (E) a process of treatment with the rinse solution for lithography.
(FR)Il est prévu une nouvelle solution de rinçage pour lithographie à utiliser pour supprimer la contraction d’un motif et un procédé d'élaboration d’un motif de résist utilisant la solution de rinçage, en réduisant les défauts surfaciques de produit d’un motif de photorésist et en dotant le motif de photorésist d’une résistance à l’irradiation par faisceaux d'électrons. La solution de rinçage pour lithographie composée d'une solution comprenant une résine soluble dans l'eau ayant un atome d’azote dans une structure moléculaire est ainsi élaborée. Le motif de résist est formé avec la solution de rinçage en réalisant (A) un processus de création d’un film photorésist sur une carte, (B) un processus d’exposition sélective du film photorésist à travers un motif de masque, (C) un processus de cuisson après exposition (PEB), (D) un processus de développement alcalin, et (E) un processus de traitement avec la solution de rinçage pour lithographie.
(JA) ホトレジストパターンについて、製品の表面欠陥、いわゆるディフェクトを減少させ、またレジストの電子線照射に対する耐性を付与して、パターンの収縮を抑制するために用いられる新規なリソグラフィー用リンス液、及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。分子構造中に窒素原子を有する水溶性樹脂を含有する溶液からなるリソグラフィー用リンス液を調製し、これを用いて(A)基板上にホトレジスト膜を設ける工程、(B)該ホトレジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に露光処理する工程、(C)露光後加熱(PEB)処理する工程、(D)アルカリ現像する工程、及び(E)前記したリソグラフィー用リンス液で処理する工程を行うことによりレジストパターンを形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)