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1. (WO2005103665) FET-BASED SENSOR FOR DETECTING REDUCING GASES OR ALCOHOL, AND ASSOCIATED PRODUCTION AND OPERATION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/103665    International Application No.:    PCT/EP2005/004275
Publication Date: 03.11.2005 International Filing Date: 21.04.2005
Chapter 2 Demand Filed:    18.11.2005    
IPC:
G01N 27/414 (2006.01)
Applicants: MICRONAS GMBH [DE/DE]; Hans-Bunte-Str. 19, 78108 Freiburg (DE) (For All Designated States Except US).
FLEISCHER, Maximilian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MEIXNER, Hans [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KISS, Gabor [HU/HU]; (HU) (For US Only).
LAMPE, Uwe [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: FLEISCHER, Maximilian; (DE).
MEIXNER, Hans; (DE).
KISS, Gabor; (HU).
LAMPE, Uwe; (DE)
Agent: WESTPHAL MUSSGNUG & PARTNER; Am Riettor 5, 78048 Villingen-Schwenningen (DE)
Priority Data:
10 2004 019 638.9 22.04.2004 DE
Title (DE) FET-BASIERTER SENSOR ZUR DETEKTION VON REDUZIERENDEN GASEN ODER ALKOHOL, HERSTELLUNGS- UND BETRIEBSVERFAHREN
(EN) FET-BASED SENSOR FOR DETECTING REDUCING GASES OR ALCOHOL, AND ASSOCIATED PRODUCTION AND OPERATION METHOD
(FR) CAPTEUR BASE SUR UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP POUR DETECTER DES GAZ REDUCTEURS OU DE L'ALCOOL, PROCEDES DE FABRICATION ET D'UTILISATION ASSOCIES
Abstract: front page image
(DE)Die Anmeldung beschreibt Sensoren zur Detektion von insbesondere reduzierenden Gasen, sowie Herstellungs- und Betriebverfahren. Ein FET-basierter Gassensor bestehet aus mindestens einem Feldeffekt-Transistor sowie mindestens einer gassensitiven Schicht und einer Referenzschicht, bei dem die sich bei Gasbeaufschlagung ergebenden Austrittsarbeitsänderungen der beiden Schichtmaterialien zur Ansteuerung der Feldeffekt-Strukturen verwendet werden, wobei die aus einem Metalloxid bestehenden gassensitive Schicht auf ihrer dem Messgas zugänglichen Oberfläche einen Oxidations-Katalysator aufweist.
(EN)The invention relates to sensors for detecting especially reducing gases, and to an associated production and operation method. An FET-based gas sensor consists of at least one field effect transistor, and at least one gas-sensitive layer and a reference layer. According to the invention, the work function changes generated on the two layer materials when subjected to gas are used to control the field effect structures. The gas-sensitive layer consisting of a metal oxide comprises an oxidation catalyst on the surface thereof that can be accessed by the measuring gas.
(FR)L'invention concerne des capteurs servant à détecter des gaz, notamment des gaz réducteurs, ainsi que des procédés de fabrication et des modes d'emploi associés. Un capteur de gaz basé sur un transistor à effet de champ comprend au moins un transistor à effet de champ et au moins une couche sensible au gaz ainsi qu'une couche de référence. Selon l'invention, les modifications de travail d'extraction résultant de l'alimentation en gaz des deux matières des couches servent à la commande des structures à effet de champ, la couche sensible au gaz constituée par un oxyde métallique comportant un catalyseur à oxydation sur sa surface accessible au gaz de mesure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)