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1. (WO2005103321) IONIZED PHYSICAL VAPOR DEPOSITION (IPVD) PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/103321    International Application No.:    PCT/US2005/005869
Publication Date: 03.11.2005 International Filing Date: 23.02.2005
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107 (JP).
TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard, Austin, TX 78741 (US) (JP only).
CERIO, Frank, M., Jr. [US/US]; (US) (For US Only).
FAGUET, Jacques [FR/US]; (US) (For US Only).
GITTLEMAN, Bruce, D. [US/US]; (US) (For US Only).
ROBINSON, Rodney, L. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CERIO, Frank, M., Jr.; (US).
FAGUET, Jacques; (US).
GITTLEMAN, Bruce, D.; (US).
ROBINSON, Rodney, L.; (US)
Agent: FREI, Donald, F.; Wood, Herron & Evans, L.L.P., 2700 Carew Tower, Cincinnati, OH 45202 (US)
Priority Data:
10/811,326 26.03.2004 US
Title (EN) IONIZED PHYSICAL VAPOR DEPOSITION (IPVD) PROCESS
(FR) PROCEDE DE DEPOT PHYSIQUE EN PHASE GAZEUSE IONISE (IPVD)
Abstract: front page image
(EN)An iPVD System (200) is programmed to deposit uniform material, such as barrier material (912), into high aspect ratio nano-size features (11) on semiconductor substrates (21) using a process which enhances the sidewall (16) coverage compared to the field (10) and bottom (15) coverage(s) while minimizing or eliminating overhang (14) within a vacuum chamber (30). The iPVD system (200) is operated at low target power and high pressure >50mT to sputter material from the target. RF energy is coupled into the chamber to form a high density plasma. A small RF bias (less than a few volts) can be applied to aid in enhancing the coverage, especially at the bottom.
(FR)Un système iPVD (200) est programmé de manière à déposer une matière uniforme, notamment une matière barrière (912), dans des traits nanométriques à fort rapport d'aspect (11) sur des substrats semi-conducteurs (21) au moyen d'un procédé améliorant la couverture de la paroi latérale (16) par rapport au champ (10) et aux couvertures inférieures (15) tout en minimisant ou en éliminant le surplomb (14) au sein d'une chambre sous-vide. Le système iPVD (200) fonctionne à faible puissance cible et à haute pression supérieure >50mT de manière à pulvériser une matière depuis la cible. L'énergie RF est couplée dans la chambre afin de former un plasma haute densité. Une faible polarisation RF (inférieure à certains volts) peut être appliquée pour contribuer à améliorer la couverture, notamment sur la partie inférieure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)