(EN) A nitride semiconductor light emitting element formed on a crystalline substrate, such as a GaN substrate, an Al2O3 substrate and a ZrB2 substrate, having an element yield of 80% or more and a high reliability, and an element wafer therefor. The wafer for the nitride semiconductor light emitting element is provided by reducing the wafer thickness by polishing the rear plane of the substrate by employing at least chemical mechanical polishing. The wafer for the nitride semiconductor light emitting element has a wafer thickness d of 145μm or less in a direction vertical to the substrate plane and a substrate plane warp curvature radius R of 0.5m or more, or has a polishing strain layer thickness of 5μm or less due to chemical mechanical polishing on the substrate rear plane.
(FR) Un élément émetteur de lumière de semi-conducteur de nitrures formé sur un substrat cristallin, tel qu'un substrat GaN, un substrat Al2O3 et un substrat ZrB2, ayant une production d'élément de 80% ou plus et une haute fiabilité, ainsi qu'une plaque d'élément pour cela. La plaque destinée à l'élément émetteur de lumière de semi-conducteur des nitrures est fournie par réduction de l'épaisseur de la plaque en polissant le plan arrière du substrat à l'aide d'au moins un poli mécanique chimique. La plaque pour l'élément émetteur de lumière de semi-conducteur de nitrures possède une épaisseur d de 145 µm ou moins dans une direction verticale au plan du substrat et un rayon de courbure du plan du substrat R de 0,5 m ou plus, ou possède une épaisseur de couche de pression de poli de 5 µm ou moins, du fait du poli mécanique chimique sur le plan arrière du substrat.
(JA) ８０％以上の素子歩留まりと高い信頼性を有するＧａＮ基板、Ａｌ２Ｏ３基板、ＺｒＢ２基板などの結晶基板の上に形成された窒化物半導体発光素子およびその素子ウエハを提供する。
本発明は、少なくとも化学機械研磨を用いて基板裏面を研磨することでウエハ厚さを薄くしている窒化物半導体発光素子用ウエハの、基板面に垂直な方向のウエハの厚さｄと基板面の反りの曲率半径Ｒが、曲率半径Ｒが０．５ｍ以上でウエハの厚さが１４５μｍ以下である、あるいは、基板裏面の化学機械研磨による研磨歪み層の厚さが５μｍ以下であることを特徴する窒化物半導体発光素子用ウエハである。