(EN) Polishing scratches in the surface of a semiconductor device are reduced significantly without damaging the advantage of fumed silica, i.e. high polishing speed, even though fumed silica is contained as a polishing agent. When a wafer (3) mounted on a pad (2) stuck to a turn table (1) is polished by exerting a load on the wafer (3) by means of a pressure head (4) and rotating the pad (2) and the pressure head (4), a water dispersion liquid of fumed silica having a mean particle size increase rate of 10% or less after 10-day shaking is employed as a polishing composition (5) supplied onto the pad (2). Since aggregation of fumed silica due to an external load and/or long term storage scarcely takes place, the number of polishing scratches in the surface of a polished semiconductor device is decreased significantly and a high-quality semiconductor device exhibiting excellent electrical connection reliability can be produced with high yield.
(FR) Les stries de polissage à la surface d’un dispositif semi-conducteur sont réduites de manière significative sans endommager le bénéfice de la silice fumée, c’est-à-dire une vitesse élevée de polissage, même si la silice fumée fait partie d’un agent de polissage. Lorsqu’une puce (3) montée sur un bloc (2) collé sur un plateau rotatif (1) est polie en exerçant une force sur la puce (3) au moyen d’une tête de pression (4) et en faisant tourner le bloc (2) et la tête de pression (4), un liquide de dispersion aqueuse de silice fumée ayant un taux d’augmentation de la taille moyenne des particules de 10 % ou moins après 10 jours d’agitation est utilisé en tant que composition de polissage (5) fournie sur le bloc (2). Étant donné qu’il se produit rarement une agrégation de silice fumée en raison d’une charge externe et/ou d’une stockage de longue durée, le nombre de stries de polissage à la surface d'un dispositif semi-conducteur poli est réduit de manière significative et il est possible de produire avec un rendement élevé un dispositif semi-conducteur de grande qualité démontrant une excellente fiabilité de connexion électrique.
(JA) 本発明の目的は、研磨剤としてヒュームドシリカを含有するにも係わらず、ヒュームドシリカの長所である高い研磨速度を損なうことなく、半導体デバイス表面の研磨傷の発生を著しく減少させることである。研磨定盤１に貼付されたパッド２上にウエハ３を載せ、ウエハ３に加圧ヘッド４により荷重をかけ、パッド２と加圧ヘッド４とを回転させてウエハ３を研磨するに際し、パッド２上に供給される研磨用組成物５として、ヒュームドシリカの水分散液であって、１０日間振盪後の平均粒子径増加率が１０％以下である研磨用組成物を用いる。これによって、外的負荷および／または長期保存によるヒュームドシリカの凝集がほとんど起こることがないので、研磨後の半導体デバイス表面の研磨傷の数が顕著に減少し、電気的な接続信頼性に優れる高品質の半導体デバイスを歩留り良く製造できる。