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1. (WO2005069386) FUEL CELL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/069386    International Application No.:    PCT/JP2005/000247
Publication Date: 28.07.2005 International Filing Date: 12.01.2005
IPC:
H01L 31/0336 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKAHASHI, Yasuhito; (For US Only).
ONO, Yukiyoshi; (For US Only)
Inventors: TAKAHASHI, Yasuhito; .
ONO, Yukiyoshi;
Agent: IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER 8-30, Tenmabashi 1-chome Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5306026 (JP)
Priority Data:
2004-005768 13.01.2004 JP
Title (EN) FUEL CELL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) PILE A COMBUSTIBLE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
(JA) 太陽電池とその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a fuel cell comprising a substrate (21), a conductive film (22) formed on the substrate (21), a compound semiconductor layer (23) formed on the conductive layer (22) and including a p-type semiconductor crystal containing a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, an n-type windowed layer (24) formed on the compound semiconductor layer (23) and having an opening (29), and an n-type transparent conductive layer formed on the n-type windowed layer (24) and a part of the compound semiconductor layer (23) under the opening of the n-type windowed layer (24). The compound semiconductor layer (23) has a high resistance portion (23B) containing an n-type impurity which is doped into the p-type semiconductor crystal, and the high resistance portion (23B) is partially formed near a surface of the compound semiconductor layer (23) on the far side from the conductive film (22) in a position under the opening (29) of the n-type windowed layer (24).
(FR)Une pile à combustible comprenant un substrat (21), un film conducteur (22) formé sur le substrat (21), une couche semi-conductrice composée (23) formée sur la couche conductrice (22) et comprenant un cristal semi-conducteur de type p contenant un élément du groupe IB, un élément de groupe IIIB et un élément du groupe VIB, une couche à fenêtre de type n (24) formée sur la couche semi-conductrice composée (23) et ayant une ouverture (29), et une couche conductrice transparente de type n formée sur la couche à fenêtre de type n (24) et une partie de la couche semi-conductrice composée (23) sous l'ouverture de la couche à fenêtre de type n (24). La couche semi-conductrice composée (23) présente une partie à forte résistance (23B) contenant une impureté de type n dopée dans le cristal semi-conducteur de type p, et la partie à forte résistance (23B) est partiellement formée à proximité d'une surface de la couche semi-conductrice composée (23) sur le côté éloigné du film conducteur (22) dans une position inférieure à l'ouverture (29) de la couche à fenêtre de type n (24).
(JA) 太陽電池の構成を、基板(21)と、基板(21)上に形成された導電膜(22)と、導電膜(22)上に形成された、Ib族元素、IIIb族元素及びVIb族元素を含有するp形半導体結晶を有する化合物半導体層(23)と、化合物半導体層(23)上に形成され、開口(29)を有するn形窓層(24)と、n形窓層(24)上及びn形窓層(24)の開口下における化合物半導体層(23)上に形成されたn形透明導電膜とを含む太陽電池であって、化合物半導体層(23)が、導電膜(22)と反対側の表面近傍の一部に形成された、p形半導体結晶にドープされたn形不純物を有する高抵抗部(23B)を有し、高抵抗部(23B)が、n形窓層(24)の開口(29)下に配置されている構成とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)