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1. (WO2005069381) SEMICONDUCTOR DEVICE MODULE STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/069381    International Application No.:    PCT/JP2004/018102
Publication Date: 28.07.2005 International Filing Date: 30.11.2004
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: HONDA MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Minami-Aoyama 2-chome Minato-ku, Tokyo 107-8556 (JP) (For All Designated States Except US).
KITAMURA, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YATAKA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ENDO, Takao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOMINAGA, Yuujiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANAKA, Toshihide [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SATO, Koichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KITAMURA, Kenji; (JP).
YATAKA, Shinichi; (JP).
ENDO, Takao; (JP).
TOMINAGA, Yuujiro; (JP).
TANAKA, Toshihide; (JP).
SATO, Koichiro; (JP)
Agent: SHIMODA, Yo-ichiro; Meisan Tameike Bldg. 1-12, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
Priority Data:
2004-008022 15.01.2004 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MODULE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE MODULE DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置のモジュール構造
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor module includes: a semiconductor element (13) having a working unit (11) and a guard ring unit (12); and heat radiation members (15, 14) arranged on the upper surface and the lower surface of the semiconductor element for cooling the semiconductor element. A passivation film (20) covers the guard ring but does not cover the working unit. The upper heat radiation member (15) is made of a flat metal plate connected to the working unit without contact with the passivation film. The upper heat radiation member is connected to the lower heat radiation member (14) in the thermo-conducting way.
(FR)Un module à semi-conducteur comprend: un élément à semi-conducteur (13) comprenant une unité de travail (11) ainsi qu'une unité d'anneau de garde (12); et des éléments de rayonnement thermique (15, 14) agencés sur la surface supérieure et la surface inférieure de l'élément à semi-conducteur pour refroidir l'élément à semi-conducteur. Une couche mince de passivation (20) couvre l'anneau de garde mais elle ne couvre pas l'unité de travail. L'élément de rayonnement thermique supérieur (15) est constitué d'une plaque de métal plane connectée à l'unité de travail sans contact avec la couche mince de passivation. L'élément de rayonnement thermique supérieur est connecté à l'élément de rayonnement thermique inférieur (14) en thermoconduction.
(JA)本発明の半導体モジュールは、作動都(11)とガードリング部(12)とを有する半導体素子(13)と、該半導体素子の上面および下面に設けられて該半導体素子を冷却する上下の放熱部材(15,14)とから成る。パッシベーション膜(20)は、ガードリング部を覆っているが、作動部を覆っていない。上部放熱部(15)は、前記パッシベーション膜に非接触となるよう作動部に接続された金属平板からなる。上部放熱部と下部放熱部(14)とは熱伝導可能に接続されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)