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1. (WO2005069377) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/069377    International Application No.:    PCT/JP2005/000129
Publication Date: 28.07.2005 International Filing Date: 07.01.2005
IPC:
H01L 21/76 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/335 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
MORI, Mitsuyoshi; (For US Only).
YAMAGUCHI, Takumi; (For US Only).
YOSHIDA, Shinji; (For US Only)
Inventors: MORI, Mitsuyoshi; .
YAMAGUCHI, Takumi; .
YOSHIDA, Shinji;
Agent: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome Chuo-ku Oasa-shi, Osaka 541-0053 (JP)
Priority Data:
2004-010715 19.01.2004 JP
2004-010718 19.01.2004 JP
2004-010723 19.01.2004 JP
2004-057260 02.03.2004 JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGES A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 固体撮像装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing a solid-state imaging device, wherein a pad insulating film (2) of an oxide film and an oxidation-resistance film (3) of a nitride film are deposited on an n-type semiconductor substrate (1), an opening (4) is formed to expose an element-isolation region of the semiconductor substrate (1), an oxidation-resistance film (not shown) for filling in the opening (4) is formed on the substrate, a side wall (5) is formed by anisotropic dry etching, a trench (6) is formed using the oxidation-resistance film (3) and the side wall (5) as a mask, p-type impurities are implanted into the exposed portion of the side surface of the trench (6) of the semiconductor substrate (1), a thermal oxide film is formed on the surface of the trench (6) of the semiconductor substrate (1), and the trench (6) is filled in with a filing film (8).
(FR)La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un dispositif de formation d'images à semi-conducteurs, dans lequel un film d'isolation de plage (2) d'un film d'oxyde et d'un film résistant à l'oxydation (3) d'un film de nitrure sont déposés sur un substrat semi-conducteur de type n (1), une ouverture (4) est formée pour exposer une région d'isolation d'éléments du substrat semi-conducteur (1), un film résistant à l'oxydation (non représenté) pour le remplissage de l'ouverture (4) est formé sur le substrat, une paroi latérale (5) est formée par gravure à sec anisotrope, une tranchée (6) est formée à l'aide du film résistant à l'oxydation (3) et la paroi latérale (5) comme masque, des impuretés de type p sont implantées dans la portion exposée de la surface latérale de la tranchée (6) du substrat semi-conducteur (1), un film d'oxyde thermique est formé sur la surface de la tranchée (6) du substrat semi-conducteur (1) et la tranchée est remplie avec un film de remplissage (8).
(JA) 本発明の固体撮像装置の製造方法では、n型の半導体基板1の上に、酸化膜からなるパッド絶縁膜2と、窒化膜からなる耐酸化性膜3とを堆積する。そして、開口4を形成することにより、半導体基板1の素子分離用領域を露出させる。次に、基板上に開口4を埋める耐酸化性膜(図示せず)を形成し、異方性ドライエッチングを行うことによりサイドウォール5を形成する。次に、耐酸化性膜3およびサイドウォール5をマスクとしてトレンチ6を形成する。次に、半導体基板1のうちトレンチ6の側面に露出する部分にp型の不純物を注入し、半導体基板1のうちトレンチ6の表面部に熱酸化膜を形成する。その後、トレンチ6を埋め込み用膜8で埋める。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)