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1. (WO2005069374) METHOD FOR MEASURING AMOUNT OF STRAIN OF BONDED STRAINED WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/069374    International Application No.:    PCT/JP2005/000165
Publication Date: 28.07.2005 International Filing Date: 11.01.2005
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (For All Designated States Except US).
YOKOKAWA, Isao [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YOKOKAWA, Isao; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 1110041 (JP)
Priority Data:
2004-008744 16.01.2004 JP
Title (EN) METHOD FOR MEASURING AMOUNT OF STRAIN OF BONDED STRAINED WAFER
(FR) PROCEDE DE MESURE DES CONTRAINTES D'UNE PLAQUETTE CONTRAINTE LIEE
(JA) 貼り合せ歪みウェーハの歪み量測定方法
Abstract: front page image
(EN)A method for measuring the amount of strain of a bonded strained wafer in which at least one strained layer is formed on a single crystal substrate by a bonding method. The method for measuring the amount of strain is characterized in that at least the two asymmetry diffraction planes having diffraction plane indices (XYZ) and (-X-YZ) of the bonded strained wafer are measured by an X-ray diffraction method, a reciprocal lattice space map is created from the measurement data, and the amount of strain of the strained layer is calculated from the peak positions from the single crystal substrate and the diffraction planes of the strained layer appearing on the reciprocal lattice space map. With this, the amounts of strain in the horizontal and vertical directions of the strained layer of a bonded strained wafer can be easily measured in a short time by an X-ray diffraction method.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de mesurer les contraintes d'une plaquette contrainte liée dans laquelle au moins une couche contrainte est formée sur un substrat cristallin simple par un procédé de collage. Le procédé de mesure de contraintes se caractérise en ce qu'au moins les deux plans de diffraction d'asymétrie ayant des indices de plan de diffraction (XYZ) et ( X-YZ) de ladite plaquette sont mesurés suivant un procédé par diffraction des rayons X, une carte de constantes de réseau réciproque est créée à partir des données de mesure, et les contraintes de la couche contrainte sont calculées à partir des positions de crête du substrat cristallin simple, les plans de diffraction de la couche contrainte apparaissant sur la carte de constantes de réseau réciproque. Ainsi, on peut aisément et rapidement mesurer les contraintes dans les directions verticale et horizontale de la couche contrainte d'une plaquette contrainte liée par un procédé par diffraction des rayons X.
(JA) 本発明は、貼り合わせ法により単結晶基板上に少なくとも一層の歪み層が形成された貼り合せ歪みウェーハの歪み量測定方法であって、少なくとも、前記貼り合わせ歪みウェーハをX線回折法により回折面指数(XYZ)、(−X−YZ)の2つの非対称回折面について測定し、前記測定データから逆格子空間マップを作成し、前記逆格子空間マップ上に現れる前記単結晶基板及び前記歪み層の前記各回折面からのピーク位置から、前記歪み層の歪み量を算出することを特徴とする歪み量測定方法である。これにより、貼り合せ歪みウェーハにおいて、X線回折法により、歪み層の水平方向、垂直方向の歪み量をより短時間で簡便に測定することを可能にする歪み量測定方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)