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1. (WO2005069371) HIGH ENERGY ESD STRUCTURE AND METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/069371    International Application No.:    PCT/US2004/039718
Publication Date: 28.07.2005 International Filing Date: 26.11.2004
Chapter 2 Demand Filed:    07.07.2005    
IPC:
H01L 27/02 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, L.L.C. [US/US]; 5005 E. McDowell Road - A700, Phoenix, Arizona 85008 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: ZDEBEL, Peter J.; (US).
DOW, Diann Michelle; (US)
Agent: JACKSON, Kevin B.; Patent Administration - A700, P.O. Box 62890, Phoenix, AZ 85082-2890 (US)
Priority Data:
10/750,267 02.01.2004 US
Title (EN) HIGH ENERGY ESD STRUCTURE AND METHOD
(FR) STRUCTURE DE DECHARGE ELECTROSTATIQUE A HAUTE ENERGIE ET PROCEDE
Abstract: front page image
(EN)A concentric ring ESD structure (10) includes a first p-type region (16) and a second p-type region (19) formed in a layer of semiconductor material (27). The two p-type regions (16, 19) are coupled together with a floating n-type buried layer (26). The first and second p-type regions (16, 19) form a back-to-back diode structure with the floating n-type buried layer (26). A pair of shorted n-type (167, 197) and p-type (166, 196) contact regions is formed in each of the first and second regions (16, 19). An isolation region (17, 32) is formed between the first and second p-type regions (16, 19).
(FR)La présente invention a trait à une structure de décharge électrostatique en forme d'anneau concentrique (10) comportant une première région de type p (16) et une deuxième région de type p (19) formées dans une couche de matériau semi-conducteur (27). Les deux régions de type p (16, 19) sont reliées à une couche enterrée flottante de type n (26). Les première et deuxième régions de type p (16, 19) forment une structure de diodes dos à dos avec la couche enterrée flottante de type n (26). Une paire de régions de contacts de type n (167, 197) et de type p (166, 196) court-circuitées est formée dans chacune des première et deuxième régions (16, 19). Une région d'isolation (17, 32) est formée entre les première et deuxième régions de type p (16, 19).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)