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Pub. No.:    WO/2005/069358    International Application No.:    PCT/JP2005/000384
Publication Date: 28.07.2005 International Filing Date: 14.01.2005
C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (For All Designated States Except US).
HASEGAWA, Toshio [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HASEGAWA, Toshio; (JP)
Agent: TAKAYAMA, Hiroshi; 6th Floor, Shin-Yokohama IC Building 18-9, Shin-Yokohama 3-chome, Kohoku-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP)
Priority Data:
2004-008019 15.01.2004 JP
(JA) 成膜方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a film-forming method wherein a TiN film having a certain thickness is formed on a semiconductor wafer by repeating a cycle once or more times which cycle is composed of a first step wherein a TiN film is formed through CVD by supplying a TiCl4 gas and an NH3 gas onto a semiconductor wafer which is heated to a film-forming temperature in a process chamber and a second step wherein the NH3 gas is supplied while stopping the supply of the TiCl4. In this method, the temperature of the semiconductor wafer during film formation is less than 450˚C, the total pressure in the process chamber is more than 100 Pa, and the partial pressure of the NH3 gas in the process chamber during the first step is not more than 30 Pa.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à la formation d'un film, consistant à former un film de TiN d'une certaine épaisseur sur une plaquette semi-conductrice par répétition d'un cycle. Ce cycle comporte une première étape, dans laquelle un film de TiN est formé par CVD, par apport d'un gaz de TiCl4 et d'un gaz NH3, sur une plaquette semi-conductrice qui est chauffée jusqu'à une température de formation de film, dans une chambre de traitement, ainsi qu'une seconde étape, dans laquelle l'apport de gaz NH3 continue mais l'apport de gaz TiCl4 est stoppé. Dans ce procédé, la température de la plaquette semi-conductrice durant la formation du film est inférieure à 45 °C, la pression totale dans la chambre de traitement est supérieure à 100 Pa et la pression partielle du gaz NH3 dans la chambre de traitement durant la première étape n'est pas supérieure à 30 Pa.
(JA) 処理容器内で成膜温度に加熱された半導体ウエハにTiClガスおよびNHガスを供給してCVDによりTiNからなる膜を形成する第1ステップと、TiClガスを停止してNHガスを供給する第2ステップとからなるサイクルを1サイクル以上繰り返し、半導体ウエハ上に所定厚さのTiN膜を成膜するにあたり、成膜の際における半導体ウエハの温度を450°C未満とし、処理容器内の全圧を100Pa超とし、第1ステップにおける処理容器内のNHガスの分圧を30pa以下とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)