WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2005069306) BIAS-ADJUSTED MAGNETORESISTIVE DEVICES FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) APPLICATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/069306    International Application No.:    PCT/US2005/000699
Publication Date: 28.07.2005 International Filing Date: 10.01.2005
IPC:
G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US).
KATTI, Romney, R. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KATTI, Romney, R.; (US)
Agent: HOIRIIS, David; Honeywell International Inc., 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Priority Data:
10/754,935 10.01.2004 US
Title (EN) BIAS-ADJUSTED MAGNETORESISTIVE DEVICES FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) APPLICATIONS
(FR) DISPOSITIFS MAGNETORESISTIFS REGLES PAR POLARISATION DESTINES A DES APPLICATIONS DE MEMOIRE A ACCES DIRECT MAGNETIQUE (MRAM)
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus are presented for shifting a hysteresis loop of a magnetoresistive device. For example, a method provides for applying a bias current to a word line of the magnetoresistive device during either a read sequence or a write sequence. The bias current is preferably configured to substantially center a hysteresis loop of the device without switching a binary state of the device.
(FR)La présente invention concerne un appareil et un procédé qui permet de changer une boucle d'hystérèse d'un dispositif magnétorésistif. Par exemple, un procédé permet d'appliquer un courant de polarisation à une ligne de mots d'un dispositif magnétorésistif soit pendant une séquence de lecture, soit pendant une séquence d'écriture. Ce courant de polarisation est de préférence configuré de façon à sensiblement centrer une boucle d'hystérèse de ce dispositif sans commutation d'un état binaire de ce dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)