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1. (WO2005068541) METHOD FOR FORMING ORGANIC SILICA FILM, ORGANIC SILICA FILM, WIRING STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPOSITION FOR FORMING FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/068541    International Application No.:    PCT/JP2005/000375
Publication Date: 28.07.2005 International Filing Date: 14.01.2005
IPC:
C08G 77/42 (2006.01), C08G 77/48 (2006.01), C08L 83/14 (2006.01), C09D 183/14 (2006.01), H01B 3/46 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Applicants: JSR CORPORATION [JP/JP]; 6-10, Tsukiji 5-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048410 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAGAWA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKIYAMA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUROSAWA, Takahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIOTA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAGAWA, Hisashi; (JP).
AKIYAMA, Masahiro; (JP).
KUROSAWA, Takahiko; (JP).
SHIOTA, Atsushi; (JP)
Agent: OFUCHI, Michie; 2nd Floor, Ogikubo TM Bldg. 26-13, Ogikubo 5-chome Suginami-ku, Tokyo 1670051 (JP)
Priority Data:
2004-009205 16.01.2004 JP
2004-141200 11.05.2004 JP
Title (EN) METHOD FOR FORMING ORGANIC SILICA FILM, ORGANIC SILICA FILM, WIRING STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPOSITION FOR FORMING FILM
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM DE SILICE ORGANIQUE, FILM DE SILICE ORGANIQUE, STRUCTURE DE CABLAGE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET COMPOSITION POUR LA FORMATION DU FILM
(JA) 有機シリカ系膜の形成方法、有機シリカ系膜、配線構造体、半導体装置、および膜形成用組成物
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for forming an organic silica film by which a coating film can be efficiently cured with a lower electron beam irradiation in a shorter time period at a lower temperature. This method for forming an organic silica film enables to form a film which can be suitably used, for example, as an interlayer insulating film in a semiconductor device and has low relative dielectric constant while being excellent in mechanical strength, adhesiveness, plasma resistance and chemical resistance. Also disclosed are a composition for forming a film which is used in this method, an organic silica film obtained by this method, a wiring structure comprising such an organic silica film, and a semiconductor device comprising such a wiring structure. The method for forming an organic silica film comprises a step wherein a coating film composed of a silicon compound having a -Si-O-Si- structure and a -Si-CH2-Si structure is formed on a base, a step for heating the coating film and a step for conducting a curing treatment by irradiating the coating film with an electron beam.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film de silice organique, procédé selon lequel un film de revêtement peut être efficacement durci par irradiation par faisceau d'électrons basse énergie, dans une courte période de temps, à basse température. Ce procédé de formation d'un film de silice organique permet de former un film qui peut être utilisé de façon appropriée, par exemple, comme film isolant intercouche dans un dispositif semi-conducteur et qui présente une constante diélectrique relativement faible, tout en ayant d'excellentes propriétés de résistance mécanique, d'adhésivité, de résistance au plasma et de résistance chimique. L'invention concerne en outre une composition de formation d'un film qui est utilisée dans ce procédé, un film de silice organique obtenu par ce procédé, une structure de câblage comprenant un tel film de silice organique, et un dispositif semi-conducteur comprenant une telle structure de câblage. Le procédé de formation d'un film de silice organique est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : un film de revêtement, formé d'un composé de silicium ayant une structure a-Si-O-Si et une structure a-Si-CH2-Si est formé sur une base ; chauffage du film de revêtement ; traitement de durcissement par irradiation du film de revêtement par un faisceau d'électrons.
(JA) より低い電子線照射量にて、より短時間により低温度で塗膜を効率的に硬化させることができ、かつ、例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができ、比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ、さらにプラズマ耐性や薬液耐性に優れた膜を形成することができる有機シリカ系膜の形成方法、該方法に使用される膜形成用組成物、該方法によって得られる有機シリカ系膜、該有機シリカ系膜を含む配線構造体、ならびに該配線構造体を含む半導体装置を提供することにある。  本発明の有機シリカ系膜の形成方法は、−Si−O−Si−構造および−Si−CH−Si−構造を有するケイ素化合物からなる塗膜を基材上に形成する工程と、前記塗膜を加熱する工程と、前記塗膜に電子線を照射して硬化処理を行なう工程と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)