WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2005067578) METHOD AND APPARATUS FOR THE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF MATERIALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/067578    International Application No.:    PCT/US2005/001798
Publication Date: 28.07.2005 International Filing Date: 12.01.2005
IPC:
C23C 16/08 (2006.01), C23C 16/22 (2006.01)
Applicants: THE PENNSYLVANIA STATE RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 113 Technology Center, 200 Innovation Blvd., University Park, PA 16802-7000 (US) (For All Designated States Except US).
FANTON, Mark, A. [US/US]; (US) (For US Only).
SNYDER, David, W. [US/US]; (US) (For US Only).
SKOWRONSKI, Marek [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: FANTON, Mark, A.; (US).
SNYDER, David, W.; (US).
SKOWRONSKI, Marek; (US)
Agent: CITKOWSKI, Ronald, W.; Gifford, Krass, Groh, Sprinkle, Anderson & Citkowski, P.C., P.O Box 7021, Troy, MI 48007 (US)
Priority Data:
60/536,122 13.01.2004 US
11/032,449 10.01.2005 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR THE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF MATERIALS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE MATERIAUX
Abstract: front page image
(EN)The halide chemical vapor deposition process deposits a chemical compound comprised of at least two different elements. The method employs a first process gas which includes a halogenated compound of a first one of the at least two different elements, and a second process gas which includes hydrogen and a second one of at least two different elements. The process gases are maintained in separation until they are contacted in a deposition chamber proximate a substrate. The gases, which are generally preheated to a temperature of less than their thermal decomposition temperatures, are contacted in a deposition region proximate the substrate, and react to generate a deposition species and a hydrogen halide which is removed. Also disclosed is an apparatus for practicing the invention.
(FR)Le processus de dépôt chimique en phase vapeur d'halogénure dépose un composé chimique constitués de deux éléments différents. Ce procédé utilise un premier gaz de processus qui inclut un composé halogéné d'un premier des deux différents éléments et un second gaz de processus qui inclut hydrogène et un second des deux éléments différents. Ces gaz de processus sont maintenus séparés jusqu'à ce qu'ils soient en contact dans une chambre de dépôt à proximité d'un substrat. Ces gaz, qui sont généralement préchauffés à une température inférieure à leurs températures de décomposition thermique, sont mis en contact dans une région de dépôt à proximité du substrat et, réagissent de façon à générer une espèce chimique de dépôt et un halogénure d'hydrogène qui est retiré. Cette invention concerne aussi un appareil permettant de mettre en oeuvre ce processus.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)