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1. (WO2005067524) NANOCRYSTAL DOPED MATRIXES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/067524    International Application No.:    PCT/US2005/001141
Publication Date: 28.07.2005 International Filing Date: 13.01.2005
IPC:
B32B 1/04 (2006.01), B32B 3/02 (2006.01), B32B 5/06 (2006.01), C30B 23/00 (2006.01), C09K 11/08 (2006.01), C09K 19/00 (2006.01), G02B 6/00 (2006.01), H01L 29/22 (2006.01), H01J 1/62 (2006.01)
Applicants: NANOSYS, INC. [US/US]; 2625 Hanover Street, Palo Alto, CA 94304 (US) (For All Designated States Except US).
PARCE, J., Wallace [US/US]; (US).
CHEN, Jian [CN/US]; (US).
DUBROW, Bob [US/US]; (US).
FREEMAN, Bill [US/US]; (US).
SCHER, Erik, C. [US/US]; (US).
WHITEFORD, Jeffery, A. [US/US]; (US)
Inventors: PARCE, J., Wallace; (US).
CHEN, Jian; (US).
DUBROW, Bob; (US).
FREEMAN, Bill; (US).
SCHER, Erik, C.; (US).
WHITEFORD, Jeffery, A.; (US)
Agent: FEATHERSTONE, Donald, J.; Sterne, Kessler, Goldstein & Fox P.L.L.C., 1100 New York Avenue, N.W., Washington, DC 20005 (US)
Priority Data:
60/536,962 15.01.2004 US
60/635,784 15.12.2004 US
Title (EN) NANOCRYSTAL DOPED MATRIXES
(FR) MATRICES DOPEES AVEC DES NANOCRISTAUX
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides matrixes doped with semiconductor nanocrystals. In certain embodiments, the semiconductor nanocrystals have a size and composition such that they absorb or emit light at particular wavelengths. The nanocrystals can comprise ligands that allow for mixing with various matrix materials, including polymers, such that a minimal portion of light is scattered by the matrixes. The matrixes of the present invention can also be utilized in refractive index matching applications. In other embodiments, semiconductor nanocrystals are embedded within matrixes to form a nanocrystal density gradient, thereby creating an effective refractive index gradient. The matrixes of the present invention can also be used as filters and antireflective coatings on optical devices and as down-converting layers. The present invention also provides processes for producing matrixes comprising semiconductor nanocrystals.
(FR)Matrices dopées avec des nanocristaux semi-conducteurs. Dans certains modes de réalisation, les nanocristaux semi-conducteurs ont une taille et une composition telles qu'ils absorbent ou émettent de la lumière à des longueurs d'ondes particulières. Les nanocristaux peuvent comprendre des ligands qui permettent de mélanger les nanocristaux avec différents matériaux matriciels, y compris des polymères, de sorte qu'une partie minimale de la lumière soit dispersée par les matrices. Les matrices décrites peuvent également être utilisées dans des application d'accordage d'indices de réfraction. Dans d'autres modes de réalisation, les nanocristaux semi-conducteurs sont noyés dans des matrices afin de former un gradient de densité en nanocristaux, créant ainsi un gradient effectif d'indices de réfraction. Les matrices décrites peuvent également être utilisées comme filtres et comme revêtements antiréfléchissants sur des dispositifs optiques et comme couches d'abaissement de fréquence. L'invention concerne également des procédés de production de matrices comprenant des nanocristaux semi-conducteurs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)