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1. (WO2005067075) METHOD FOR THE PRODUCTION A NANOELEMENT FIELD EFFECT TRANSISTOR, NANOELEMENT-FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SURROUNDED GATE STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/067075    International Application No.:    PCT/DE2005/000001
Publication Date: 21.07.2005 International Filing Date: 03.01.2005
Chapter 2 Demand Filed:    08.11.2005    
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Applicants: QIMONDA AG [DE/DE]; Gustav-Heinemann-Ring 212, 81739 München (DE) (For All Designated States Except US).
KREUPL, Franz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SEIDEL, Robert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: KREUPL, Franz; (DE).
SEIDEL, Robert; (DE)
Agent: KÜHN, Armin; Viering, Jentschura & Partner, Steinsdorfstr. 6, 80538 München (DE)
Priority Data:
10 2004 001 340.3 08.01.2004 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES NANOELEMENT-FELDEFFEKTTRANSISTORS, NANOELEMENT-FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT SURROUNDED GATE STRUKTUR
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION A NANOELEMENT FIELD EFFECT TRANSISTOR, NANOELEMENT-FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SURROUNDED GATE STRUCTURE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A NANOELEMENT ET A STRUCTURE DE PORTE PERIPHERIQUE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Nanoelement-Feldeffekttransistors, einen Nanoelement-Feldeffekttransistor und eine Nanoelement-Anordnung. Gemäß dem Verfahren zum Herstellen eines Nanoelement-Feldeffekttransistors wird ein Nanoelement gebildet, ein erster und ein zweiter Source-/Drain-Bereich mit dem Nanoelements gekoppelt, ein Oberflächenbereich eines Substrats derart entfernt, dass ein Bereich des Nanoelements freigelegt wird, und eine Gate-isolierende Struktur und eine Gate-Struktur das Nanoelement vollumfänglich bedeckend gebildet.
(EN)The invention relates to a method for the production of a nanoelement field effect transistor, a nanoelement field effect transistor and a nanoelement arrangement. According to the method for the production of a nanoelement field effect transistor, a nanoelement is formed; a first and a second source-/drain area is coupled to the nanoelement, a surface area of a substrate is removed, such that a region of the nanoelement is exposed, and a gate-insulating structure and a gate structure are formed in a covered manner fully encompassing the nanoelement.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à nanoélément, un transistor à effet de champ à nanoélément et un ensemble nanoélément. Selon ce procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à nanoélément, un nanoélément est formé ; une première et une seconde zone de source/drain sont couplées au nanoélément ; une zone de surface d'un substrat est enlevée de façon à dégager une zone du nanoélément ; une structure d'isolation de porte et une structure de porte sont formées de façon à recouvrir ledit nanoélément en l'entourant complètement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)