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1. (WO2005066717) METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING PHOTORESIST FROM A SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/066717    International Application No.:    PCT/US2004/037250
Publication Date: 21.07.2005 International Filing Date: 09.11.2004
IPC:
G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6 Akasaka 5-chome, Minto-ku, Tokyo 107 (JP) (For All Designated States Except US).
BALASUBRAMANIAM, Vaidyanathan [IN/US]; (US) (For US Only).
INAZAWA, Koichiro [JP/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BALASUBRAMANIAM, Vaidyanathan; (US).
INAZAWA, Koichiro; (US)
Agent: KARCESKI, Jeffrey, D.; Pillsbury Winthrop LLP, P.O. Box 10500, McLean, VA 22102 (US)
Priority Data:
10/743,275 23.12.2003 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING PHOTORESIST FROM A SUBSTRATE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL POUR ENLEVER DU PHOTORESIST D'UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(EN)A method and system for removing photoresist from a substrate in a plasma processing system comprising: introducing a process gas comprising NxOy, wherein x, y represent integers greater than or equal to unity. Additionally, the process chemistry can further comprise the addition of an inert gas, such as a Noble gas (i.e., He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn). The present invention further presents a method for forming a feature in a thin film on a substrate, wherein the method comprises: forming a dielectric layer on a substrate; forming a photoresist pattern on the dielectric layer; transferring the photoresist pattern to the dielectric layer by etching; and removing the photoresist from the dielectric layer using a process gas comprising NXOy, wherein x and y are integers greater than or equal to unity.
(FR)L'invention concerne un procédé et un système pour enlever du photorésist d'un substrat dans un système de traitement au plasma. Ledit procédé consiste à introduire un gaz de traitement comprenant NxOy,x et y représentant des entiers supérieurs ou égaux à l'unité. De plus, au produit chimique de traitement peut également être ajouté un gaz inerte, tel qu'un gaz noble (à savoir, He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn). L'invention concerne également un procédé de création d'une caractéristique dans une couche mince sur un substrat. Ledit procédé consiste à: former une couche diélectrique sur un substrat; former un motif de photorésist sur la couche diélectrique; transférer le motif de photorésist à la couche diélectrique par gravure, et enlever le photorésist de la couche diélectrique au moyen d'un gaz de traitement comprenant NxOy, x et y étant des entiers supérieurs ou égaux à l'unité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)