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1. (WO2005065325) OPTIMIZED CONTACT DESIGN FOR THERMOSONIC BONDING OF FLIP-CHIP DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/065325    International Application No.:    PCT/US2004/043751
Publication Date: 21.07.2005 International Filing Date: 22.12.2004
IPC:
H01L 27/15 (2006.01), H01L 29/22 (2006.01)
Applicants: GELcore LLC [US/US]; 6180 Halle Drive, Valley View, OH 44125-4635 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: ELIASHEVICH, Ivan; (US).
VENUGOPALAN, Hari, S.; (US).
GOA, Xiang; (US).
SACKRISON, Michael, J.; (US)
Agent: CORNELY, John, P.; Fay, Sharpe, Fagan, Minnich & McKee, LLP, 1100 Superior Avenue, Seventh Floor, Cleveland, OH 44114-2579 (US)
Priority Data:
60/532,840 24.12.2003 US
Title (EN) OPTIMIZED CONTACT DESIGN FOR THERMOSONIC BONDING OF FLIP-CHIP DEVICES
(FR) MODELE DE CONTACT OPTIMISEE POUR METALLISATION THERMOSONIQUE DE DISPOSITIFS DE CONNEXION PAR BOSSAGES
Abstract: front page image
(EN)A light emitting device (A) includes a semiconductor die (100). The semiconductor die includes: an epitaxial structure (120) arranged on a substrate (160), the epitaxial structure forming an active light generating region (140) between a first layer (120n) on a first side of the active region and having a first conductivity type, and a second layer (120p) on a second side of the active region and having a second conductivity type, the second side of the active region being opposite the first side of the active region and the second conductivity type being different that the first conductivity type; a first contact (180n) in operative electrical communication with the active region via the first layer in the epitaxial structure, the first contact being arranged on a side of the epitaxial structure opposite the substrate; a second contact (180p) in operative electrical communication with the active region via the second layer in the epitaxial structure, the second contact being arranged on a side of the epitaxial structure opposite the substrate; a first contact trace corresponding to the first contact and defined at a surface thereof distal from the substrate, the first trace including at least one area designated for bonding (320n); and, a second contact trace corresponding the second contact and defined at a surface thereof distal from the substrate, the second trace including at least one area (320p) designated for bonding. Suitably, the first contact trace is substantially enclosed within the second contact trace.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent (A) comprenant un dé semiconducteur (100). Le dé semiconducteur comprend une structure épitaxiale (120) disposée sur un substrat (160) et formant une région active de génération de lumière (140) entre une première couche (120n) située sur un premier côté de la région active et présentant un premier type de conductivité, et une seconde couche (120p) située sur un second côté de la région active et présentant un second type de conductivité, le second côté de la région active étant opposé au premier côté de la région active, et le second type de conductivité étant différent du premier type de conductivité. Le dé semiconducteur comprend également un premier contact (180n) en communication électrique fonctionnelle avec la région active par l'intermédiaire de la première couche ménagée dans la structure épitaxiale, ledit premier contact étant disposé sur un côté de la structure épitaxiale opposé au substrat; un second contact (180p) en communication électrique fonctionnelle avec la région active par l'intermédiaire de la seconde couche ménagée dans la structure épitaxiale, ledit second contact étant disposé sur un côté de la structure épitaxiale opposé au substrat; un premier tracé métallique de contact correspondant au premier contact et délimité au niveau d'une surface de ce dernier distale du substrat, ledit premier tracé métallique comprenant au moins une zone (320n) conçue pour être métallisée; et un second tracé métallique de contact correspondant au second contact et délimité au niveau d'une surface de ce dernier distale du substrat, ledit second tracé métallique comprenant au moins une zone (320p) conçue pour être métallisée. Le premier tracé métallique de contact est judicieusement encapsulé à l'intérieur du second tracé métallique de contact.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)