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1. (WO2005065143) ISOTOPICALLY PURE SILICON-ON-INSULATOR WAFERS AND METHOD OF MAKING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/065143    International Application No.:    PCT/US2004/041344
Publication Date: 21.07.2005 International Filing Date: 22.11.2004
IPC:
H01L 29/04 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01)
Applicants: ISONICS CORPORATION [US/US]; 5906 McIntyre Street, Golden, CO 80403 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: BURDEN, Stephen, J.; (US)
Agent: TRAVER, Robert, D.; Sheridan Ross P.C., 1560 Broadway, Suite 1200, Denver, CO 80202-5141 (US)
Priority Data:
10/746,426 24.12.2003 US
Title (EN) ISOTOPICALLY PURE SILICON-ON-INSULATOR WAFERS AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) PLAQUETTES A BASE DE SILICIUM SUR ISOLANT ISOTOPIQUEMENT PURES ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor wafer structure having a device layer, an insulating layer, and a substrate which is capable of supporting increased semiconductor device densities or increased semiconductor device power. One or more of the layers includes an isotopically enriched semiconductor material having a higher thermal conductivity than semiconductor material having naturally occurring isotopic ratios. The insulating layer may be formed by implanting atoms or ions into a semiconductor layer and subjecting the wafer to heat treatment resulting in the implanted atoms or ions reacting with the semiconductor layer to form an insulating layer.
(FR)L'invention concerne une structure de plaquette de semi-conducteur présentant une couche de dispositif, une couche isolante et un substrat pouvant supporter des densités de dispositifs à semi-conducteurs accrues ou une puissance de dispositifs à semi-conducteurs accrue. Au moins une des couches comprend un matériau semi-conducteur isotopiquement enrichi présentant une conductivité thermique supérieure au matériau semi-conducteur présentant des rapports isotopiques d'origine naturelle. On peut former la couche isolante en implantant des atomes ou des ions dans une couche semi-conductrice et en soumettant la plaquette à un traitement thermique, les atomes ou les ions implantés réagissant avec la couche semi-conductrice pour former une couche isolante.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)