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1. (WO2005064995) LIGHT-EMITTING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/064995    International Application No.:    PCT/JP2004/019466
Publication Date: 14.07.2005 International Filing Date: 17.12.2004
IPC:
H05B 33/14 (2006.01), H05B 33/22 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
KUMAKI, Daisuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SEO, Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KUMAKI, Daisuke; (JP).
SEO, Satoshi; (JP)
Priority Data:
2003-432306 26.12.2003 JP
Title (EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ELEMENT ELECTROLUMINSECENT
Abstract: front page image
(EN)In the present invention, a light-emitting element operating at low driving voltage, consuming low power, emitting light with good color purity and manufactured in high yields can be obtained. A light-emitting element is disclosed with a configuration composed of a fist layer containing a light-emitting material, a second layer, a third layer are formed sequentially over an anode to be interposed between the anode and a cathode in such a way that the third layer is formed to be in contact with the cathode. The second layer is made from n-type semiconductor, a mixture including that, or a mixture of an organic compound having a carrier transporting property and a material having a high electron donor property. The third layer is made from p-type semiconductor, a mixture including that, or a mixture of an organic compound having a carrier transporting property and a material having a high electron acceptor property.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminsecent qui fonctionne à basse tension de commande, consomme peu d'énergie, émet une lumière de bonne pureté chromatique, et est fabriqué à haut rendement. L'invention concerne un élément électroluminsecent dont la configuration est composée d'une première couche contenant un matériau électroluminsecent; une deuxième couche et une troisième couche formées consécutivement au-dessus d'une anode pour s'interposer entre l'anode et une cathode, de sorte que la disposition de la troisième couche la place au contact de la cathode. La deuxième couche est constituée d'un semiconducteur de type n, d'un mélange contenant ledit semiconducteur, ou d'un mélange d'un composé organique présentant une propriété de transport de courants porteurs et d'un matériau présentant une grande propriété de don d'électrons. La troisième couche est constituée d'un semiconducteur de type p, d'un mélange contenant ledit semiconducteur, ou d'un mélange d'un composé organique présentant une propriété de transport de courants porteurs et d'un matériau présentant une grande propriété de réception d'électrons.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)