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1. (WO2005064658) SEMICONDUCTOR MEMBER, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/064658    International Application No.:    PCT/JP2004/018982
Publication Date: 14.07.2005 International Filing Date: 14.12.2004
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 3-30-2, Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 1468501 (JP) (For All Designated States Except US).
NOTSU, Kazuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKAGUCHI, Kiyofumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SATO, Nobuhiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IKEDA, Hajime [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIDA, Shoji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NOTSU, Kazuya; (JP).
SAKAGUCHI, Kiyofumi; (JP).
SATO, Nobuhiko; (JP).
IKEDA, Hajime; (JP).
NISHIDA, Shoji; (JP)
Agent: OHTSUKA, Yasunori; 7th Fl., Shuwa Kioicho Park Bldg., 3-6, Kioicho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020094 (JP)
Priority Data:
2003-434021 26.12.2003 JP
2004-265559 13.09.2004 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR MEMBER, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE CET ELEMENT, ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)An SiGe layer is grown on a silicon substrate. The SiGe layer or the silicon substrate and SiGe layer are porosified by anodizing the SiGe layer to form a strain induction porous layer or a porous silicon layer and strain induction porous layer. An SiGe layer and strained silicon layer are formed on the resultant structure. The SiGe layer in the stacking growth step only needs to be on the uppermost surface of the porous layer. For this reason, an SiGe layer with a low defect density and high concentration can be formed. Since the SiGe layer on the strain induction porous layer can achieve a low defect density without lattice mismatching. Hence, a high-quality semiconductor substrate having a high strained silicon layer can be obtained.
(FR)Le procédé décrit consiste à faire croître une couche de SiGe sur un substrat de silicium, et à rendre poreux la couche de SiGe seule, ou le substrat de silicium et la couche SiGe, en anodisant la couche de SIGe afin de former une couche poreuse génératrice de contrainte, ou une couche de silicium poreuse et une couche poreuse génératrice de contrainte, puis à former une couche de SiGe et une couche de silicium contrainte sur la structure résultante. Lors du processus de croissance par couches superposées, il suffit que la couche de SiGe soit présente sur la surface supérieure de la couche poreuse, ce qui permet de former une couche de SiGe présentant une faible densité de défauts, et une haute concentration. La couche de SiGe sur la couche poreuse génératrice de contrainte présente ainsi une faible densité de défauts, sans désaccord des réseaux cristallins, ce qui permet d'obtenir un substrat semi-conducteur de haute qualité comportant une couche de silicium contrainte.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)