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1. (WO2005062905) LASER LIFT-OFF OF SAPPHIRE FROM A NITRIDE FLIP-CHIP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/062905    International Application No.:    PCT/US2004/043201
Publication Date: 14.07.2005 International Filing Date: 21.12.2004
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: GELCORE LLC [US/US]; 6180 Halle Drive, Valley View, OH 44125-4635 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: SHELTON, Bryon, S.; (US).
LIBON, Sebastian; (US).
ELIASHEVICH, Ivan; (US)
Agent: MCCOLLISTER, Scott, A.; Fay, Sharpe, Fagan, Minnich & McKee, LLP, 1100 Superior Avenue, Seventh Floor, Cleveland, OH 44114-2579 (US)
Priority Data:
60/532,839 24.12.2003 US
Title (EN) LASER LIFT-OFF OF SAPPHIRE FROM A NITRIDE FLIP-CHIP
(FR) DECOLLEMENT LASER DE SAPHIR A PARTIR D'UNE PUCE RETOURNEE AU NITRURE
Abstract: front page image
(EN)In a method for fabricating a flip-chip light emitting diode device, epitaxial layers are deposited on a sapphire growth substrate to produce an epitaxial wafer. A plurality of light emitting diode devices are fabricated on the epitaxial wafer. The epitaxial wafer is diced to generate a device die. The device die is flip chip bonded to a mount. The flip chip bonding includes securing the device die to the mount by bonding at least one electrode of the device die to at least one bonding pad of the mount. Subsequent to the flip chip bonding, the growth substrate of the device die is removed via the application of laser light.
(FR)Selon l'invention, dans un procédé de fabrication d'un dispositif de diode électroluminescente à puce retournée, des couches épitaxiales sont déposées sur un substrat de croissance de saphir afin de produire une plaquette épitaxiale. Une pluralité de diodes électroluminescentes sont fabriquées sur la plaquette épitaxiale. La plaquette épitaxiale est découpée en dés afin de générer une matrice de dispositif. La matrice de dispositif est connectée par billes à une monture. La connexion par billes consiste à fixer la matrice de dispositif sur la monture par connexion d'au moins une électrode de la matrice de dispositif sur au moins un plot de connexion de la monture. Après connexion par billes, le substrat de croissance de la matrice de dispositif est enlevé par application de lumière laser.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)