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1. (WO2005062389) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHTING MODULE, LIGHTING APPARATUS, DISPLAY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/062389    International Application No.:    PCT/JP2004/019457
Publication Date: 07.07.2005 International Filing Date: 17.12.2004
IPC:
H01L 27/15 (2006.01), H01L 33/00 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
NAGAI, Hideo; (For US Only)
Inventors: NAGAI, Hideo;
Agent: NAKAJIMA, Shiro; 6F, Yodogawa 5-Bankan, 2-1, Toyosaki 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5310072 (JP)
Priority Data:
2003-428258 24.12.2003 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHTING MODULE, LIGHTING APPARATUS, DISPLAY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR, MODULE ET APPAREIL D'ECLAIRAGE, ELEMENT D'AFFICHAGE, ET PROCEDE DE FABRICATION DU DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)In an LED array chip (2), LEDs (6) are connected together in series by a bridging wire (30). The LEDs (6) each have a semiconductor multilayer structure (8-18) including a light emitting layer (14). Here, the semiconductor multilayer structure (8-18) is epitaxially grown on a front surface of an SiC substrate (4). A phosphor film (48) covers the LEDs (6). Two power supply terminals (36 and 38), which are electrically independent from each other, are formed on a back surface of the SiC substrate (4). The power supply terminal (36) is connected to a cathode electrode (32) of an LED (6a) at a lower potential end by a bridging wire (40) and a plated-through hole (42). The power supply terminal (38) is connected to an anode electrode (34) of an LED (6d) at a higher potential end by a bridging wire (44) and a plated-through hole (46).
(FR)Selon l'invention, dans une puce à réseau de DEL, les DEL (6) sont connectées les unes aux autres en série par un câble de pontage (30). Les DEL présentent chacune une structure (8-18) multicouche à semi-conducteur comportant une couche électroluminescente (14). En l'occurrence, ladite structure (8-18) est formée par épitaxie sur une surface avant d'un substrat SiC (4). Un film de phosphore (48) recouvre les DEL (6). Deux bornes d'alimentation (36 et 38), indépendantes l'une de l'autre, sont formées sur une surface arrière du substrat SiC (4). La borne d'alimentation (36) est connectée à une cathode (32) d'une DEL (6a) à une extrémité de potentiel inférieure par un câble de pontage (40) et un trou traversant plaqué (42). La borne d'alimentation (38) est connectée à une anode (34) d'une DEL (6d) à une extrémité de potentiel supérieure par un câble de pontage (44) et un trou traversant plaqué (46).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)