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1. (WO2005062384) METHOD OF FORMING BRIDGING LATERAL NANOWIRES AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/062384    International Application No.:    PCT/US2004/040597
Publication Date: 07.07.2005 International Filing Date: 03.12.2004
IPC:
D01F 9/127 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Applicants: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 20555 S. H. 249, Houston, TX 77070 (US) (For All Designated States Except US).
ISLAM, M., Saiful [BD/US]; (US) (For US Only).
KAMINS, Theodore, I. [US/US]; (US) (For US Only).
SHARMA, Shashank [IN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ISLAM, M., Saiful; (US).
KAMINS, Theodore, I.; (US).
SHARMA, Shashank; (US)
Agent: LEE, Denise, A.; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, P O Box 272400, Fort Collins, CO 80527-2400 (US)
Priority Data:
10/738,176 17.12.2003 US
Title (EN) METHOD OF FORMING BRIDGING LATERAL NANOWIRES AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY
(FR) PROCEDES DE PONTAGE DE NANOFILS LATERAUX ET DISPOSITIFS COMPRENANT DE TELS NANOFILS
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor nanowire (162, 660) is grown laterally. A method of growing (100) the nanowire forms (120) a vertical surface (118a, 118b, 610, 620) on a substrate (102, 630, 690), and activates (130) the vertical surface with a nanoparticle catalyst (160, 640, 642). A method of laterally bridging (200) the nanowire grows (210) the nanaowire from the activated vertical surface to connect to an opposite vertical surface (118a, 118b, 610, 620) on the substrate. A method of connecting (300) electrodes (610, 620) of a semiconductor device (600) grows (330) the nanowire from an activated (320) device electrode to an opposing device electrode. A method of bridging (400) semiconductor nanowires grows (410, 420, 430) nanowires between an electrode pairs opposing lateral directions. A method of self-assembling (500) the nanowire bridges (530) the nanowire between an activated electrode pair. A method of controlling nanowire growth forms a surface irregularity (170) in the vertical surface. An electronic device (600) includes a laterally grown nano-scale interconnection (660).
(FR)L'invention concerne un nanofil semi-conducteur (162, 660) formé latéralement, ainsi qu'un procédé (100) de croissance de nanofils consistant à former (120) une surface verticale (118a, 118b, 610, 620) sur un substrat (102, 630, 690), et à activer (130) cette surface verticale au moyen d'un catalyseur nanoparticulaire (160, 640, 642). L'invention concerne également un procédé permettant le pontage (200) latéral des nanofils, consistant à faire croître (210) des nanofils à partir de la surface verticale activée de manière à les connecter avec une surface verticale opposée (118a, 118b, 610, 620) du substrat. L'invention concerne encore un procédé de raccordement (300) des électrodes (610, 620) d'un dispositif semi-conducteur (600), consistant à faire croître (330) le nanofil à partir d'une électrode activée (320) du dispositif, en direction d'une électrode opposée du dispositif, un procédé de pontage (400) de nanofils semi-conducteurs consistant à faire croître (410, 420, 430) des nanofils entre deux électrodes activées, dans des directions latérales opposées, un procédé permettant l'auto-assemblage (500) des ponts (530 ) de nanofils entre deux électrodes activées, et un procédé permettant de réguler la croissance de nanofils, consistant à former une irrégularité (170) superficielle dans la surface verticale. L'invention concerne en outre un dispositif électronique (600) comprenant une interconnexion (660) d'échelle nanométrique formée par croissance latérale.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)