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1. (WO2005062368) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/062368    International Application No.:    PCT/JP2004/018548
Publication Date: 07.07.2005 International Filing Date: 07.12.2004
IPC:
C08L 83/04 (2006.01), C08L 83/08 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01)
Applicants: DOW CORNING TORAY CO., LTD. [JP/JP]; 1-3, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000005 (JP) (For All Designated States Except US).
MORITA, Yoshitsugu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MINE, Katsutoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKANISHI, Junji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ENAMI, Hiroji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MORITA, Yoshitsugu; (JP).
MINE, Katsutoshi; (JP).
NAKANISHI, Junji; (JP).
ENAMI, Hiroji; (JP)
Priority Data:
2003-424821 22.12.2003 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A method of manufacturing a semiconductor device sealed in a cured silicone body by placing a semiconductor device into a mold and subjecting a curable silicone composition that fills the spaces between said mold and said semiconductor device to compression molding, wherein the curable silicone composition comprises the following components: (A) an organopolysiloxane having at least two alkenyl groups per molecule; (B) an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded hydrogen atoms per molecule; (C) a platinum-type catalyst; and (D) a filler, wherein either at least one of components (A) and (B) contains a T-unit siloxane and/or Q-unit siloxane. By the utilization this method, a sealed semiconductor device is free of voids in the sealing material, and a thickness of the cured silicone body can be controlled.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur scellé dans un corps de silicone durci, qui consiste à placer un dispositif à semiconducteur dans un moule et à soumettre une composition de silicone polymérisable qui comble les espaces entre le moule et le dispositif à semiconducteur à un moulage par compression. La composition de silicone polymérisable comprend les constituants suivants: A) un organopolysiloxane comprenant au moins deux groupes alcényles par molécule; B) un organopolysiloxane comprenant au moins deux atomes d'hydrogène liés au silicone par molécule; C) un catalyseur de type platine; et D) une matière de charge. Dans ladite composition, au moins le constituant A) ou le constituant B) contient un siloxane d'unité T et/ou un siloxane d'unité Q. Le procédé de l'invention permet d'obtenir un dispositif à semiconducteur étanche, dont le matériau d'étanchéité est exempt de vides, et dont l'épaisseur du corps de silicone durci peut être réglée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)