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1. (WO2005062361) METHOD FOR SETTING PLASMA CHAMBER HAVING AN ADAPTIVE PLASMA SOURCE, PLASMA ETCHING METHOD USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD FOR ADAPTIVE PLASMA SOURCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/062361    International Application No.:    PCT/KR2004/003388
Publication Date: 07.07.2005 International Filing Date: 22.12.2004
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: ADAPTIVE PLASMA TECHNOLOGY CORPORATION [KR/KR]; 1 Yeongtong-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 443-808 (KR) (For All Designated States Except US).
SONG, Yeong Su [KR/KR]; (KR) (For US Only).
OH, Sang Ryong [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Sheung Ki [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Nam Heon [KR/KR]; (KR) (For US Only).
OH, Young kun [KR/KR]; (KR) (For US Only).
LEE, Do Hyung [US/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: SONG, Yeong Su; (KR).
OH, Sang Ryong; (KR).
KIM, Sheung Ki; (KR).
KIM, Nam Heon; (KR).
OH, Young kun; (KR).
LEE, Do Hyung; (KR)
Agent: AJU PATENT & LAW FIRM; 12th Floor, Poonglim Building, 823-1 Yeoksam-dong, Kangnam-gu, Seoul 135-784 (KR)
Priority Data:
10-2003-0094413 22.12.2003 KR
10-2003-0095570 23.12.2003 KR
10-2003-0095523 23.12.2003 KR
Title (EN) METHOD FOR SETTING PLASMA CHAMBER HAVING AN ADAPTIVE PLASMA SOURCE, PLASMA ETCHING METHOD USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD FOR ADAPTIVE PLASMA SOURCE
(FR) PROCEDE DE REGLAGE D'UNE CHAMBRE A PLASMA AYANT UNE SOURCE DE PLASMA ADAPTATIF, PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA UTILISANT CETTE CHAMBRE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE SOURCE DE PLASMA ADAPTATIVE
Abstract: front page image
(EN)Disclosed herein is a plasma chamber setting method for generating plasma in a plasma chamber. A plurality of plasma source coils, including a first plasma source coil, a second plasma source coil having an etching rate at the center part thereof higher than that of the first plasma source coil, and a third plasma source coil having an etching rate at the edge part thereof higher than that of the first plasma source coil, are prepared. The first plasma source coil is disposed on the plasma chamber, and a test wafer is etched. The etching rate for each position of the test wafer is analyzed, and first plasma source coil is replaced with the second plasma source coil or the third plasma source coil based on the analysis results.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de réglage d'une chambre à plasma permettant de générer du plasma dans une chambre à plasma. Une pluralité de bobines source de plasma sont préparées, ces bobines incluant une première bobine source de plasma, une deuxième bobine source de plasma ayant un facteur de gravure en sa partie centrale supérieur à celui de la première bobine source de plasma, et une troisième bobine source de plasma ayant un facteur de gravure au niveau de sa partie latérale supérieur à celui de la première bobine source de plasma. La première bobine source de plasma est disposée sur la chambre à plasma et une plaquette d'essai est gravée. Le facteur de gravure pour chaque position de la plaquette d'essai est analysé, et la première bobine source de plasma est remplacée par la deuxième bobine source de plasma ou par la troisième bobine source de plasma en fonction des résultats de cette analyse.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)