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1. (WO2005062332) MEMS SWITCH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/062332    International Application No.:    PCT/JP2004/019032
Publication Date: 07.07.2005 International Filing Date: 20.12.2004
H01H 59/00 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
HASHIMURA, Akinori; (For US Only).
NAITO, Yasuyuki; (For US Only).
NAKAMURA, Kunihiko; (For US Only).
NAKANISHI, Yoshito; (For US Only)
Inventors: HASHIMURA, Akinori; .
NAITO, Yasuyuki; .
NAKAMURA, Kunihiko; .
Agent: TAKAMATSU, Takeshi; Eikoh Patent Office, 13th Floor, ARK Mori Building, 12-32, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1076013 (JP)
Priority Data:
2003-424254 22.12.2003 JP
2004-353010 06.12.2004 JP
(JA) MEMSスイッチ
Abstract: front page image
(EN)A fine MEMS switch easily producible and exhibiting an adequate IN/OFF capacitance variation ratio. The MEMS switch comprises a substrate (46), a conductive beam(42) formed on the substrate, and three-layer structure beams (B1, B2) formed on the substrate and opposed to the conductive beam. The MEMS switch is characterized in that the three-layer structure beams include first conductive layers (38, 40), second conductive layers (30, 32), and dielectric layers (34, 36) interposed between the respective first and second conductive layers, the first conductive layers are opposed to the conductive beam (42), at least one of the conductive beam (42) and the three-layer structure beams is deformed by the electric static force in a plane parallel to the substrate (46) thereby to bring the conductive beam (42) and the first electrode (38, 40) into contact with each other, and a conduction path between the conductive beam (42) and the second conductive layer (30, 32) is formed when the conductive beam (42) and the first conductive layer are in contact with each other.
(FR)L'invention concerne un commutateur MEMS facile à fabriquer, qui manifeste un excellent rapport de variation de capacité MARCHE/ARRET. Le commutateur MEMS est caractérisé en ce que les faisceaux de structure à trois couches comprennent des premières couches conductrices (38, 40), des deuxièmes couches conductrices (30, 32) et des couches diélectriques (34, 36) intercalées entre les premières et deuxièmes couches conductrices correspondantes. Les premières couches conductrices sont opposées au faisceau conducteur (42), et au moins un faisceau conducteur (42), qui fait partie des faisceaux de structure à trois couches, est déformé par une force diélectrique statique dans un plan parallèle au substrat (46), de manière à mettre le faisceau conducteur (42) et la première électrode (38, 40) en contact l'une avec l'autre, et une voie de conduction entre le faisceau conducteur (42) et la deuxième couche conductrice (30, 32) est formée lorsque le faisceau conducteur (42) et la première couche conductrice entrent en contact l'un avec l'autre.
(JA)   製造が容易かつ微細で、十分なON/OFF静電容量変化比を得ることができるMEMSスイッチを提供する。    基板46と、前記基板表面に形成された導電性梁42と、前記基板表面に形成され、前記導電性梁に対向する位置に配置された3層構造梁B1,B2とを備えるMEMSスイッチであって、前記3層構造梁は、第1の導電体層38,40、第2の導電体層30,32、及び前記第1の導電体層と前記第2の導電体層に挟まれた誘電体層34,36を含み、前記第1の導電体層は、前記導電性梁42に対向しており、前記導電性梁42及び前記3層構造梁の少なくとも一方が、前記基板46に平行な面上で静電力によって変位して前記導電性梁42と前記第1の電極38,40が接触可能であり、前記導電性梁42と前記第1の導電体層が接触時に、前記導電性梁42と前記第2の導電体層30,32との間で導電路が形成されることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)