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1. (WO2005061756) HIGH TEMPERATURE VACUUM EVAPORATION APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/061756    International Application No.:    PCT/US2004/038235
Publication Date: 07.07.2005 International Filing Date: 08.12.2004
IPC:
C23C 16/00 (2006.01)
Applicants: OSEMI, INC. [US/US]; 300 First St. NE, Rochester, MN 55906 (US) (For All Designated States Except US).
BRADDOCK, David, W. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BRADDOCK, David, W.; (US)
Agent: NEIFELD, Richard, A.; Neifeld IP Law, P.C., 4813-B Eisenhower Avenue, Alexandria, VA 22304 (US)
Priority Data:
60/527,760 09.12.2003 US
Title (EN) HIGH TEMPERATURE VACUUM EVAPORATION APPARATUS
(FR) EVAPORATEUR SOUS VIDE HAUTE TEMPERATURE
Abstract: front page image
(EN)A filament, heat shield, supporting base comprised of SiC with ceramic insulators and top plate that together form an effusion assembly for use in the vacuum evaporation, molecular beam epitaxy, and ultra high vacuum deposition of epitaxial materials. The effusion assembly used together with a crucible and source material allow for the vacuum evaporation of species above 1250 °C when quantities of reactive gaseous species such as oxygen, sulphur, or reactive nitrogen are present in the deposition chamber. The relative chemical inertness of SiC even at elevated temperatures allows the SiC filament assembly to be used at high temperature especially in the presence of oxygen for the high purity epitaxial nucleation and growth layered electronic materials including semiconductors, metals, oxides, dielectric multilayer stacks, sulfides and oxides.
(FR)La présente invention concerne un ensemble d'effusion thermique constitué d'un filament, d'un écran thermique, d'une structure support à base de SiC pourvue d'isolateurs céramique, et un panneau couvrant. Cet ensemble d'effusion thermique est plus particulièrement destiné à l'évaporation sous vide, l'épitaxie par jets moléculaires, et le dépôt sous vide poussé de matériaux épitaxiques. L'ensemble effuseur, associé à un creuset et un matériau source, permet l'évaporation sous vide d'espèces à plus de 1250 °C dès que certaines quantités d'espèces gazeuses, et notamment l'oxygène, le soufre ou l'azote réactif, sont présentes dans la chambre de dépôt. La relative inertie chimique du SiC, même à hautes températures, permet d'utiliser à hautes température l'ensemble à filament SiC, notamment en présence d'oxygène, pour la nucléation épitaxique hautement pure et pour la croissance de matériaux électroniques en couches tels que les semi-conducteurs, les métaux, les oxydes, les empilements multicouche à diélectrique, les sulfures et les oxydes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)