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1. (WO2005060548) METHOD OF PREVENTING DAMAGE TO POROUS LOW-K MATERIALS DURING RESIST STRIPPING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/060548    International Application No.:    PCT/US2004/040267
Publication Date: 07.07.2005 International Filing Date: 01.12.2004
IPC:
H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/461 (2006.01), H01L 21/44 (2006.01), H01L 21/4763 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6470 (US) (For All Designated States Except US).
ANNAPRAGADA, Rao [IN/US]; (US) (For US Only).
TAKESHITA, Kenji [JP/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ANNAPRAGADA, Rao; (US).
TAKESHITA, Kenji; (US)
Agent: LEE, Michael, B.; Beyer Weaver & Thomas, LLP, P.O. Box 70250, Oakland, CA 94612-0250 (US)
Priority Data:
10/738,280 16.12.2003 US
Title (EN) METHOD OF PREVENTING DAMAGE TO POROUS LOW-K MATERIALS DURING RESIST STRIPPING
(FR) PROCEDE POUR EMPECHER LES DOMMAGES SUR DES MATERIAUX POREUX A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE LORS D'UN DECAPAGE DE RESINE
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a feature in a porous low-K dielectric layer is provided. A porous low-K dielectric layer is placed over a substrate. A patterned photoresist mask is placed over the porous low-K dielectric layer. A feature is etched into the porous low-K dielectric layer. A protective layer is deposited over the feature after the etching the feature. The patterned photoresist mask is stripped, so that part of the protective layer is removed, where protective walls formed from the protective layer remain in the feature.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former une caractéristique dans une couche diélectrique à faible constante diélectrique. Une couche diélectrique à faible constante diélectrique poreuse est placée sur un substrat. Un masque en photorésine est placé sur la couche diélectrique à faible constante diélectrique. Une caractéristique est gravée dans la couche diélectrique à faible constante diélectrique poreuse. Une couche de protection est déposée sur la caractéristique après la gravure. Le masque de photorésine à motifs est pelliculé, de sorte que la partie de la couche protectrice est éliminée, les parois protectrices formées à partir de la couche protectrice restant dans la caractéristique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)