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1. (WO2005038923) SEMICONDUCTOR PHOTODETECTING ELEMENT AND RADIATION DETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/038923    International Application No.:    PCT/JP2004/012988
Publication Date: 28.04.2005 International Filing Date: 07.09.2004
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/148 (2006.01), H01L 31/06 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMANAKA, Tatsumi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMANAKA, Tatsumi; (JP)
Agent: HASEGAWA, Yoshiki; Soei Patent and Law Firm Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Priority Data:
2003-359737 20.10.2003 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR PHOTODETECTING ELEMENT AND RADIATION DETECTOR
(FR) ELEMENT PHOTODETECTEUR A SEMI-CONDUCTEUR ET DETECTEUR DE RADIATIONS
(JA) 半導体光検出素子及び放射線検出装置
Abstract: front page image
(EN)On the surface side of an n-type semiconductor substrate (5), p-type regions (7) are arrayed two-dimensionally. A heavily doped n-type region (9) and a p-type region (11) are arranged between adjacent p-type regions (7). The heavily doped n-type region (9) is formed to surround the p-type region (7), when viewed from the surface side, by diffusing n-type impurities from the surface side of the substrate (5). The p-type region (11) is formed to surround the p-type region (7) and the heavily doped n-type region (9), when viewed from the surface side, by diffusing p-type impurities from the surface side of the substrate (5). On the surface side of the n-type semiconductor substrate (5), an electrode (15) being connected electrically with the p-type regions (7) and an electrode (19) being connected electrically with the heavily doped n-type region (9) and the p-type region (11) are formed. A semiconductor photodetecting element and a radiation detector, in which crosstalk can be suppressed well and inflow of carriers to an adjacent photodiode can be suppressed even if some photodiode is brought into electrically floating state due to initial connection error or damage of a connecting point due to temperature cycle, are thereby realized.
(FR)Sur le côté de la surface d'un substrat semi-conducteur de type n (5), des régions du type p (7) sont disposées en réseau bidimensionnel. Une région de type n (9) fortement dopée et une région de type p (11) sont disposées entre des régions adjacentes de type p (7). La région de type n (9) fortement dopée est formée de façon à entourer la région de type p (7), vu du côté de la surface, par la diffusion d'impuretés de type n à partir du côté de la surface du substrat (5). La région de type p (11) est formée de façon à entourer la région de type p (7) et la région de type n (9) fortement dopée, vu du côté de la surface, par la diffusion d'impuretés de type p à partir du côté de la surface du substrat (5). Sur le côté de la surface du substrat semi-conducteur de type n (5), une électrode (15) reliée électriquement aux régions de type p (7) et une électrode (19) reliée électriquement à la région de type n (9) fortement dopée et à la région de type p (11) sont formées. On obtient ainsi un élément photodétecteur à semi-conducteur et un détecteur de radiations, dans lesquels la diaphonie peut être efficacement supprimée et l'arrivée de porteurs dans une photodiode adjacente peut être supprimée, y compris si certaines photodiodes sont amenées à un état de flottement électrique dû à une erreur de connexion initiale ou à l'endommagement d'un point de connexion dû au cycle de température.
(JA) n型半導体基板5にはその表面側において、p型領域7がアレイ状に2次元配列されている。隣接するp型領域7同士の間には、高濃度n型領域9及びp型領域11が配置されている。高濃度n型領域9は、表面側から見てp型領域7を取り囲むように、基板5の表面側からn型不純物を拡散して形成されている。p型領域11は、表面側から見てp型領域7及び高濃度n型領域9を取り囲むように、基板5の表面側からp型不純物を拡散して形成されている。n型半導体基板5の表面側には、p型領域7に電気的に接続される電極15と、高濃度n型領域9及びp型領域11に電気的に接続される電極19とが形成されている。これにより、クロストークの発生を良好に抑制することと、初期的な接続エラーもしくは温度サイクル等による接続点の破損によって、あるホトダイオードが電気的にフローティングな状態になった場合においても、隣接するホトダイオードへのキャリアの流れ込みを抑制することが可能な半導体光検出素子及び放射線検出装置が実現される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)