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1. (WO2005038890) METHODS OF SELECTIVE DEPOSITION OF HEAVILY DOPED EPITAXIAL SIGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/038890    International Application No.:    PCT/US2004/030872
Publication Date: 28.04.2005 International Filing Date: 21.09.2004
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Ave., Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
KIM, Yihwan [KR/US]; (US) (For US Only).
SAMOILOV, Arkadii, V. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KIM, Yihwan; (US).
SAMOILOV, Arkadii, V.; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; MOSER, PATTERSON & SHERIDAN, L.L.P., 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056-6582 (US)
Priority Data:
10/683,937 10.10.2003 US
Title (EN) METHODS OF SELECTIVE DEPOSITION OF HEAVILY DOPED EPITAXIAL SIGE
(FR) PROCEDES DE DEPOT SELECTIF DE SIGE EPITAXIAL FORTEMENT DOPE
Abstract: front page image
(EN)In one embodiment a method for depositing a silicon film or silicon germanium film on a substrate is provided which includes placing the substrate within a process chamber and heating the substrate surface to a temperature in the range from about 600 C to about 900 C while maintaining a pressure in the process chamber in the range from about 13 Pa (0.1 Torr) to about 27 kPa (200 Torr). A deposition gas is provided to the process chamber and includes SiH4, an optional germanium source gas, an etchant, a carrier gas and optionally at least one dopant gas. The silicon film or the silicon germanium film is selectively and epitaxially grown on the substrate. One embodiment includes a method for depositing a silicon-containing film with an inert gas as the carrier gas. Methods also include the fabrication of electronic devices utilizing selective silicon germanium epitaxial films.
(FR)Dans un mode de réalisation, on met en oeuvre un procédé de dépôt d'un film de silicium ou un film de germanium silicium sur un substrat consistant à placer le substrat dans une chambre de traitement et à chauffer la surface du substrat à une température comprise entre environ 600 °C et environ 900 °C tout en maintenant une pression dans la chambre de traitement allant d'environ 13 Pa (0,1 Torr) à environ 27 kPa (200 Torr). Un gaz de dépôt est acheminé vers la chambre de traitement et comprend SiH4, un gaz de source de germanium facultatif, un élément de gravure, un gaz porteur et éventuellement au moins un gaz dopant. Le film de silicium ou le film de germanium silicium croît de manière sélective et épitaxiale sur le substrat. Un mode de réalisation met en oeuvre un procédé de dépôt d'un film contenant du silicium avec un gaz inerte servant de gaz porteur. Font également l'objet de cette invention des procédés consistant à fabriquer des dispositifs électroniques utilisant les films épitaxiaux de germanium silicium sélectifs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)