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1. (WO2005038812) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR WRITING DATA INTO SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/038812    International Application No.:    PCT/JP2004/013303
Publication Date: 28.04.2005 International Filing Date: 13.09.2004
IPC:
G11C 11/15 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
HONDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKIMURA, Noboru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HONDA, Takeshi; (JP).
SAKIMURA, Noboru; (JP).
SUGIBAYASHI, Tadahiko; (JP)
Agent: KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400013 (JP)
Priority Data:
2003-323756 16.09.2003 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR WRITING DATA INTO SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE A SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE D'ECRITURE DE DONNEES DANS UN DISPOSITIF DE STOCKAGE A SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体記憶装置及び半導体記憶装置のデータ書き込み方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device including a magnetic storage element and a magnetic field generation unit is used. The magnetic storage element stores data in accordance with the magnetization direction of its spontaneous magnetization. In the operation of data write into the magnetic storage element, the magnetic field generation unit generates a first magnetic field of a first direction in the vicinity of the magnetic storage element and then generates a second magnetic field of a second direction which is different from the first direction so as to orient its spontaneous magnetization to the magnetization direction corresponding to the data to be stored.
(FR)L'invention concerne un dispositif de stockage à semiconducteur comprenant un élément de stockage magnétique et une unité de génération de champ magnétique. L'élément de stockage magnétique stocke les données selon le sens de magnétisation de sa magnétisation spontanée. Pendant l'opération d'écriture de données dans l'élément de stockage magnétique, l'unité de génération de champ magnétique génère un premier champ magnétique d'un premier sens à proximité de l'élément de stockage magnétique; puis génère un second champ magnétique d'un second sens différent du premier sens, de façon à orienter sa magnétisation spontanée dans le sens de magnétisation correspondant aux données à stocker.
(JA) 磁気記憶素子と磁界発生部とを具備する半導体記憶装置を用いる。磁気記憶素子は、自発磁化の磁化方向に対応させてデータを記憶する。磁界発生部は、磁気記憶素子へのデータ書き込み動作において、磁気記憶素子の近傍に、第1方向の第1磁界を発生した後、記憶されるデータに対応する磁化方向にその自発磁化を向かせるようにその第1方向とは異なる第2方向の第2磁界を発生する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)