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1. (WO2005038527) ENHANCING PHOTORESIST PERFORMANCE USING ELECTRIC FIELDS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/038527    International Application No.:    PCT/US2004/032256
Publication Date: 28.04.2005 International Filing Date: 30.09.2004
IPC:
G03F 1/14 (2006.01), G03F 7/16 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (For All Designated States Except US).
BRISTOL, Robert [--/US]; (US) (For US Only).
CAO, Heidi [--/US]; (US) (For US Only).
CHANDHOK, Manish [--/US]; (US) (For US Only).
MEAGLEY, Robert [--/US]; (US) (For US Only).
RAMACHANDRARAO, Vijayakumar [--/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BRISTOL, Robert; (US).
CAO, Heidi; (US).
CHANDHOK, Manish; (US).
MEAGLEY, Robert; (US).
RAMACHANDRARAO, Vijayakumar; (US)
Agent: TROP, Timothy, N.; Trop, Pruner & Hu, P.C., 8554 Katy Freeway, Suite 100, Houston, TX 77024 (US)
Priority Data:
10/679,816 06.10.2003 US
Title (EN) ENHANCING PHOTORESIST PERFORMANCE USING ELECTRIC FIELDS
(FR) AMELIORER L'EFFICACITE DE LA PHOTORESINE PAR DES CHAMPS ELECTRIQUES
Abstract: front page image
(EN)Electric fields may be advantageously used in various steps of photolithographic processes. For example, prior to the pre-exposure bake, photoresists that have been spun-on the wafer may be exposed to an electric field to orient aggregates or other components within the unexposed photoresist. By aligning these aggregates or other components with the electric field, line edge roughness may be reduced, for example in connection with 193 nanometer photoresist. Likewise, during exposure, electric fields may be applied through uniquely situated electrodes or using a radio frequency coil. In addition, electric fields may be applied at virtually any point in the photolithography process by depositing a conductive electrode, which is subsequently removed during development. Finally, electric fields may be applied during the developing process to improve line edge roughness.
(FR)L'invention concerne des champs électriques que l'on peut utiliser avec intérêt dans différents stades des processus photolithographiques. Par exemple, préalablement à la cuisson de pré-exposition, les photorésines, qui ont été filées autour de la plaquette, peuvent être exposées à un champ électrique afin de diriger les agrégats et d'autres composants dans la photorésine non exposée. En alignant ces agrégats ou d'autres composants avec le champ électrique, on peut réduire la rugosité des bords de lignes, par exemple en rapport avec une photorésine à 193 nanomètres. De même, lors de l'exposition, on peut appliquer les champs électriques par le biais d'électrodes placées de manière unique, ou au moyen d'une bobine de radiofréquence. De plus, on peut appliquer les champs électriques pratiquement à n'importe quel point du processus de photolithographie en déposant une électrode conductrice, que l'on évacue par la suite lors de la mise au point. Enfin, on peut appliquer les champs électriques lors de l'élaboration du processus visant à améliorer la rugosité des bords de lignes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)