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1. (WO2005037968) SLURRY FOR SLICING SILICON INGOT AND METHOD FOR SLICING SILICON INGOT USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/037968    International Application No.:    PCT/JP2004/015030
Publication Date: 28.04.2005 International Filing Date: 12.10.2004
IPC:
B28D 5/00 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (For All Designated States Except US).
TSURUTA, HIROZOH [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HAMAYASU, Masayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWASAKI, Takafumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIDA, Hirokazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOMINAGA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TSURUTA, HIROZOH; (JP).
HAMAYASU, Masayuki; (JP).
KAWASAKI, Takafumi; (JP).
NISHIDA, Hirokazu; (JP).
TOMINAGA, Hisashi; (JP)
Agent: SOGA, Michiteru; S. Soga & Co. 8th Floor, Kokusai Building 1-1, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-0005 (JP)
Priority Data:
2003-356750 16.10.2003 JP
Title (EN) SLURRY FOR SLICING SILICON INGOT AND METHOD FOR SLICING SILICON INGOT USING SAME
(FR) BOUE POUR DECOUPER DES LINGOTS DE SILICIUM ET PROCEDE DE DECOUPAGE DE LINGOTS DE SILICIUM AU MOYEN DE LADITE BOUE
(JA) シリコンインゴット切断用スラリー及びそれを用いるシリコンインゴットの切断方法
Abstract: front page image
(EN)A slurry for slicing silicon ingots with a pH of not less than 12 is disclosed wherein the content of a basic material to the total mass of liquid component of the slurry is at least 3.5 mass%, and an organic amine is contained in such an amount that the mass ratio thereof to water in the liquid component of the slurry is 0.5-5.0. Also disclosed is a method for slicing silicon ingots wherein such a slurry is used at 65-95˚C. With this method, cut resistance during silicon ingot slicing is reduced and thus there can be efficiently obtained a high-quality wafer.
(FR)L'invention concerne une boue conçue pour découper des lingots de silicium, possédant un pH d'au moins 12 et une teneur en matière de base par rapport à la masse totale du composant liquide de la boue d'au moins 3,5% en masse, et une amine organique dans des proportions massiques par rapport à l'eau dans le composant liquide de la boue de 0,5-5,0. L'invention porte également sur un procédé de découpage de lingots de silicium dans lequel une boue est utilisée à 65-95°C, permettant de réduire la résistance au découpage pendant le découpage du lingot de silicium et de produire efficacement une tranche de qualité élevée.
(JA) この発明に係るシリコンインゴット切断用スラリーでは、塩基性物質の含有量を、スラリーの液体成分全体の質量に対して少なくとも3.5質量%とし、スラリーの液体成分中の水分に対して質量比で0.5~5.0の有機アミンを含有させ、且つスラリーのpHを12以上としている。また、この発明に係るシリコンインゴットの切断方法では、上記シリコンインゴット切断用スラリーを65°C~95°Cで使用している。その結果、シリコンインゴット切断加工時の切断抵抗が低減され、高品質のウエハを効率よく得ることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)