WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2005036647) OPTOELECTRONIC SENSOR AND DEVICE FOR 3D DISTANCE MEASUREMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/036647    International Application No.:    PCT/EP2004/008437
Publication Date: 21.04.2005 International Filing Date: 28.07.2004
Chapter 2 Demand Filed:    17.05.2005    
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: IC-HAUS GMBH [DE/DE]; Am Kuemmerling 18, 55294 Bodenheim (DE) (For All Designated States Except US).
HERZ, Manfred [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HERZ, Manfred; (DE)
Agent: KAMPFENKEL, Klaus; Blumbach, Kramer & Partner GbR, Alexandrastrasse 5, 65187 Wiesbaden (DE)
Priority Data:
103 43 709.6 18.09.2003 DE
Title (DE) OPTOELEKTRONISCHER SENSOR UND VORRICHTUNG ZUR 3D-ABSTANDSMESSUNG
(EN) OPTOELECTRONIC SENSOR AND DEVICE FOR 3D DISTANCE MEASUREMENT
(FR) DETECTEUR OPTOELECTRONIQUE ET DISPOSITIF DE MESURE DE DISTANCE EN 3D
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft eine optoelektronischen Sensor zum Demodulieren eines modulierten Photonenstroms (50) sowie eine Messvorrichtung, insbesondere zur 3D-Abstandsmessung mit wenigstens einem solchen optoelektronischen Sensor. Der optoelektronische Sensor weist wenigstens zwei in einem Halbleiterbereich (10) eingebrachte Sammelzonen (20, 22) auf, die zum Beispiel in den Halbleiterbereich diffundiert und invers zum Halbleiterbereich (10) dotiert sind. Die Sammelzonen (20, 22) dienen zum Sammeln und Abgreifen von Minoritätsträgern, die beim Eindringen eines modulierten Photonenstroms (50) erzeugt werden. Weiterhin sind wenigstens zwei Steuerzonen (32, 34) im Halbleiterbereich (10) eingebracht, die ein Driftfeld in Abhängigkeit von einer an die Steuerzonen (32, 34) anlegbaren Steuerspannung erzeugen, wobei die Steuerzonen (32, 34) vom gleichen Dotierungstyp wie der Halbleiterbereich (10) sind.
(EN)The invention relates to an optoelectronic sensor for demodulating a modulated photon current (50), and to a measuring device, especially for 3D distance measurement, comprising at least one such optoelectronic sensor. The inventive optoelectronic sensor comprises at least two collection regions (20, 22) that are incorporated into a semiconductor region (10) and are, for example, diffused in the semiconductor region and doped inversely to the semiconductor region (10). Said collection regions (20, 22) are used to collect and tap minority carriers that are produced by the penetration of a modulated photon current (50). Furthermore, at least two control regions (32, 34) are incorporated into the semiconductor region (10), said control regions producing a drift field according to a control voltage that can be applied to the control regions (32, 34). Said control regions (32, 34) are doped in the same way as the semiconductor region (10).
(FR)L'invention concerne un détecteur optoélectronique servant à démoduler un flux photonique (50) modulé, ainsi qu'un dispositif de mesure, notamment un dispositif de mesure de distance en 3D, équipé d'au moins un tel détecteur optoélectronique. Ce détecteur optoélectronique présente au moins deux zones collectrices (20, 22) incorporées dans une zone semiconductrice (10), par exemple diffusées dans cette dernière et présentant un dopage inverse de celui de la zone semiconductrice (10). Ces zones collectrices (20,22) servent à collecter et à prélever des porteurs minoritaires qui sont produits lorsqu'un flux photonique (50) modulé pénètre dans la zone semiconductrice. En outre, au moins deux zones de commande (32, 34) sont incorporées dans la zone semiconductrice (10), ces zones de commande produisant un champ interne en fonction d'une tension de commande pouvant être appliquée aux zones de commande (32, 34). Ces dernières (32, 34) présentent le même type de dopage que la zone semiconductrice (10).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)