WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2005036646) SEMICONDUCTOR CIRCUIT ARRANGEMENT WITH A PHOTODIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/036646    International Application No.:    PCT/EP2004/011137
Publication Date: 21.04.2005 International Filing Date: 06.10.2004
IPC:
H01L 31/103 (2006.01)
Applicants: INSTITUT FÜR MIKROELEKTRONIK STUTTGART [DE/DE]; Allmandring 30a, 70569 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
HOEFFLINGER, Bernd [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HOEFFLINGER, Bernd; (DE)
Agent: DUHME, Torsten; Witte, Weller & Partner, Postfach 10 54 62, 70047 Stuttgart (DE)
Priority Data:
103 47 170.7 07.10.2003 DE
Title (DE) HALBLEITERSCHALTUNGSANORDNUNG MIT EINER PHOTODIODE
(EN) SEMICONDUCTOR CIRCUIT ARRANGEMENT WITH A PHOTODIODE
(FR) SYSTEME DE CIRCUIT A SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT UNE PHOTODIODE
Abstract: front page image
(DE)Bei einer Halbleiterschaltungsanordnung mit einer Photodiode (16) zum Erzeugen eines lichtabhängigen elektrischen Signals (VSignal) beinhaltet die Photodiode (16) eine Schichtenfolge mit zumindest drei Schichten (14, 20, 22). Die drei Schichten bilden einen oberflächenferneren ersten pn-Übergang (24) und einen oberflächennahen zweiten pn-Übergang (26) aus. Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist der zweite pn-Übergang (26) durch einen niederohmigen Kontaktbereich (28) leitfähig überbrückt. In einem bevorzugten Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiterschaltungsanordnung werden die zweite und dritte Halbleiterschicht (20, 22) in einem gemeinsamen Prozessschritt erzeugt, bei dem Dotieratome für die zweite Halbleiterschicht (20) mit einer hohen Energie von mehr als 40 keV in die erste Halbleiterschicht (14) eingebracht werden.
(EN)The invention relates to a semiconductor circuit arrangement with a photodiode (16) for generating a light-dependent electrical signal (VSignal), whereby the photodiode (16) comprises a series of layers with at least three layers (14, 20, 22). The three layers form a first pn-junction (24) located remotely from the surface and form a second pn-junction (26) located near the surface. According to one aspect of the invention, the second pn-junction (26) is conductively linked by a low-resistance contact region (28). In a preferred method for producing a semiconductor circuit arrangement of this type, the second and third semiconductor layers (20, 22) are created in a common processing step during which doping atoms for the second semiconductor layer (20) are introduced with a high level of energy greater than 40 keV into the first semiconductor layer (14).
(FR)L'invention concerne un système de circuit à semi-conducteurs comportant une photodiode (16) pour produire un signal électrique (Vsignal) dépendant de la lumière, la photodiode (16) contient une succession de couches comprenant au moins trois couches (14, 20, 22). Les trois couches forment une première jonction pn (24) éloignée de la surface et une deuxième jonction pn (26) proche de la surface. Selon un aspect de l'invention, la seconde jonction pn (26) est pontée de manière conductrice par une zone de contact (28) de basse impédance. Dans un procédé préféré pour produire un système de circuit à semi-conducteurs, la deuxième et troisième couche à semi-conducteurs (20, 22) sont produites en une étape commune du processus, au cours de laquelle des atomes de dopage pour la deuxième couche à semi-conducteurs (20) sont introduits avec une haute énergie de plus de 40 keV dans la première couche à semi-conducteurs (14).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)