WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2005034222) METHOD FOR DEPOSITING METAL LAYERS USING SEQUENTIAL FLOW DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2005/034222 International Application No.: PCT/US2004/028891
Publication Date: 14.04.2005 International Filing Date: 07.09.2004
IPC:
C23C 16/16 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01)
Applicants: MATSUDA, Tsukasa[JP/JP]; JP (UsOnly)
IKEDA, Taro[JP/JP]; JP (UsOnly)
HATANO, Tatsuo[JP/JP]; JP (UsOnly)
TACHIBANA, Mitsuhiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
YAMASAKI, Hideaki[JP/JP]; JP (UsOnly)
LEUSINK, Gert, J.[NL/US]; US (UsOnly)
MCFEELY, Fenton, R.[US/US]; US (UsOnly)
MALHOTRA, Sandra, G.[US/US]; US (UsOnly)
SIMON, Andrew, H.[US/US]; US (UsOnly)
YURKAS, John, J.[US/US]; US (UsOnly)
TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; TBS Broadcast Center 3-6 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107, JP (AllExceptUS)
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION[US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US (AllExceptUS)
Inventors: MATSUDA, Tsukasa; JP
IKEDA, Taro; JP
HATANO, Tatsuo; JP
TACHIBANA, Mitsuhiro; JP
YAMASAKI, Hideaki; JP
LEUSINK, Gert, J.; US
MCFEELY, Fenton, R.; US
MALHOTRA, Sandra, G.; US
SIMON, Andrew, H.; US
YURKAS, John, J.; US
Agent: KARCESKI, Jeffrey, D. ; Pillsbury Winthrop LLP P.O. Box 10500 McLean, VA 22102, US
Priority Data:
10/673,91030.09.2003US
Title (EN) METHOD FOR DEPOSITING METAL LAYERS USING SEQUENTIAL FLOW DEPOSITION
(FR) PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES METALLIQUES PAR DEPOT EN FLUX SEQUENTIEL
Abstract: front page image
(EN) A method for depositing metal layers with good surface morphology using sequential flow deposition includes alternately exposing a substrate in a process chamber to a metal-carbonyl precursor gas and a reducing gas. During exposure with the metal-carbonyl precursor gas, a thin metal layer is deposited on the substrate by thermal decomposition, and subsequent exposure of the metal layer to the reducing gas aids in the removal of reaction by-products from the metal layer. The metal-carbonyl precursor gas and a reducing gas exposure steps can be repeated until a metal layer with a desired thickness is achieved. The metal­carbonyl precursor can, for example, be selected from W(CO)6, Ni(CO)4, MO(CO)6, C02(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12.
(FR) L'invention concerne un procédé de dépôt de couches métalliques selon une bonne morphologie de surface, par dépôt en flux séquentiel, qui consiste à alterner l'exposition d'un substrat à un gaz précurseur de métal-carbonyle et un gaz réducteur à l'intérieur d'une chambre de traitement. Durant l'exposition, une fine couche de métal est déposée sur le substrat par décomposition thermique, et l'exposition de la couche métallique au gaz réducteur contribue ensuite à l'élimination des sous-produits de réaction sur la couche métallique. Les deux expositions peuvent être répétées jusqu'à l'établissement d'une couche métallique d'épaisseur souhaitée. Par exemple, le gaz précurseur peut être W(CO)6, Ni(CO)4, MO(CO)6, C02(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, et Ru3(CO)12.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)