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1. (WO2005034201) METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR AND METHOD OF FABRICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2005/034201 International Application No.: PCT/US2004/032405
Publication Date: 14.04.2005 International Filing Date: 30.09.2004
IPC:
H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 29/76 (2006.01) ,H01L 29/94 (2006.01) ,H01L 31/119 (2006.01)
Applicants: COOLBAUGH, Douglas, D.[US/US]; US (UsOnly)
ESHUN, Ebenezer, E.[GH/US]; US (UsOnly)
GAMBINO, Jeffrey, P.[US/US]; US (UsOnly)
HE, Zhong-Xiang[US/US]; US (UsOnly)
RAMACHANDRAN, Vidhya[IN/US]; US (UsOnly)
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION[US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US (AllExceptUS)
Inventors: COOLBAUGH, Douglas, D.; US
ESHUN, Ebenezer, E.; US
GAMBINO, Jeffrey, P.; US
HE, Zhong-Xiang; US
RAMACHANDRAN, Vidhya; US
Agent: SABO, William, D. ; International Business Machines Corporation Intellectual Property Law -- Zip 972E 1000 River Street Essex Junction, VT 05452, US
Priority Data:
10/605,44430.09.2003US
Title (EN) METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR AND METHOD OF FABRICATION
(FR) CONDENSATEUR METAL-ISOLANT-METAL ET PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN) A method and structure for a MIM capacitor, the structure including: an electronic device, comprising: an interievel dielectric layer formed on a semiconductor substrate; a copper bottom electrode formed in the interievel dielectric layer, atop surface of the bottom electrode co-planer with a top surface of the interievel dielectric layer; a conductive diffusion barrier in direct contact with the top surface of the bottom electrode; a MIM dielectric in direct contact with a top surface of the conductive diffusion barrier; and a top electrode in direct contact with a top surface of the MIM dielectric. The conductive diffusion barrier may be recessed into the copper bottom electrode or an additional recessed conductive diffusion barrier provided. Compatible resistor and alignment mark structures are also disclosed.
(FR) Cette invention concerne un procédé de fabrication et une structure pour condensateur métal-isolant-métal (MIM). La structure du condensateur est constituée par : un dispositif électronique comprenant une couche diélectrique interniveaux formée sur un substrat semi-conducteur; une électrode en cuivre de fond formée dans la couche diélectrique interniveaux, une surface supérieure de l'électrode de fond coplanaire avec une surface supérieure de la couche diélectrique interniveaux; une couche d'arrêt de diffusion conductrice en contact direct avec la surface supérieure de l'électrode de fond; un diélectrique MIM en contact direct avec une surface supérieure de la couche d'arrêt de diffusion conductrice; et une électrode supérieure en contact direct avec une surface supérieure du diélectrique MIM. La couche d'arrêt de diffusion conductrice peut être encastrée dans l'électrode de fond en cuivre, ou bien on peut trouver une couche d'arrêt de diffusion conductrice encastrée supplémentaire. L'invention concerne également des structures de résistance et de repère d'alignement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)