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1. (WO2005031930) SEMICONDUCTOR LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/031930    International Application No.:    PCT/JP2004/014098
Publication Date: 07.04.2005 International Filing Date: 27.09.2004
IPC:
H01S 5/14 (2006.01)
Applicants: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1008322 (JP) (For All Designated States Except US).
OHKI, Yutaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUKIJI, Naoki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANIGUCHI, Hidehiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OHKI, Yutaka; (JP).
TSUKIJI, Naoki; (JP).
TANIGUCHI, Hidehiro; (JP)
Agent: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office Kasumigaseki Building 2-5, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-6019 (JP)
Priority Data:
2003-335459 26.09.2003 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor laser comprises a semiconductor laser (6) having a front end face (f) from which the output light is emitted, an optical fiber (5) which the output light emitted from the semiconductor laser (6) enters, an FBG1 adapted to return the output light to the semiconductor laser (6) and disposed at an optical distance L1 from the front end face (f), and n (n≥2) FBGs, i.e., FBG2 to FBGi+1 adapted to return the output light to the semiconductor laser (6) and disposed at optical distances Li (i=2, 3, ···, n) from the front end face (f). The positions of the FBG1 to FBGi+1 are so set that the value Li/L1 is out of the range of N±0.01 where N is two or more integer. The reflection center wavelength of the FBG1 is approximately equal to that of at least one of the FBG2 to FBGi+1. Even though the FBGs are used, the light output stability is excellent.
(FR)L'invention se rapporte à un laser à semi-conducteur comprenant un laser à semi-conducteur (6) doté d'une face d'extrémité avant (f) à partir de laquelle la lumière sortie est émise, une fibre optique (5) dans laquelle entre la lumière sortie émise depuis le laser à semi-conducteur (6), un FBG1 conçu pour renvoyer la lumière sortie vers le laser à semi-conducteur (6) et disposé à une certaine distance optique L1 de la face d'extrémité avant (f), et n (n>2) FBGs, c'est-à-dire, FBG2 à FBGi + 1 étant conçus pour renvoyer la lumière sortie vers le laser à semi-conducteur (6) et disposés à certaines distances optiques Li (I=2, 3, , n) de la face d'extrémité avant (f). Les positions de FBG1 à FBGi+1 sont réglées afin que la valeur Li/L1 soit sortie de la gamme N+0,01, N étant au moins deux chiffres entiers. La longueur d'ondes du centre de réflexion de FBG1 est approximativement égale à celle comprise au moins entre FGB2 et FBGi+1. Même si les FBGs sont utilisés, la stabilité de la sortie de lumière est excellente.
(JA) 出力光が出射される前端面fを有する半導体レーザ(6)と、半導体レーザ(6)から出射された出力光が入射される光ファイバ(5)と、半導体レーザ(6)に出力光を帰還し、前端面fからの光学距離がL1であるFBG1と、半導体レーザ(6)に出力光を帰還し、前端面fからの光学距離がLi(i=2、3、・・・n)であるn個(n≧2)のFBG2~FBGi+1とを有し、Nを2以上の整数として、Li/L1の値がN±0.01以内の範囲に含まれないようにFBG2~FBGi+1の位置が設定され、かつ、FBG1の反射中心波長と少なくとも一つのFBG2~FBGi+1の反射中心波長がほぼ等しいようにし、FBGを用いながらも、光出力安定性を優れたものにしている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)