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1. (WO2005031860) ELECTRONIC DEVICES AND METHODS FOR MAKING SAME USING NANOTUBE REGIONS TO ASSIST IN THERMAL HEAT-SINKING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/031860    International Application No.:    PCT/US2004/021712
Publication Date: 07.04.2005 International Filing Date: 07.07.2004
IPC:
H01L 23/373 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Applicants: GELCORE LLC [US/US]; 6180 Halle Drive, Valley View, OH 44125-4635 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: ARIK, Mehmet; (US).
WEAVER, Stanton, E., Jr.; (US).
CARNAHAN, James, C.; (US).
BECKER, Charles, A.; (US).
GERSTLER, William, D.; (US)
Agent: MCCOLLISTER, Scott, A.; Fay, Sharpe, Fagan, Minnich & McKee, LLP, 1100 Superior Avenue, Seventh Floor, Cleveland, OH 44114-2579 (US)
Priority Data:
10/614,497 07.07.2003 US
Title (EN) ELECTRONIC DEVICES AND METHODS FOR MAKING SAME USING NANOTUBE REGIONS TO ASSIST IN THERMAL HEAT-SINKING
(FR) DISPOSITIFS ELECTRONIQUES ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION AU MOYEN DE ZONES DE NANOTUBES POUR AIDER A LA DISSIPATION THERMIQUE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device die (10, 116) is disposed on a heat-sinking support structure (30, 100). Nanotube regions (52, 120) contain nanotubes (54, 126) are arranged on a surface of or in the heatsinking support structure (30, 100). The nanotube regions (52, 120) are arranged to contribute to heat transfer from the semiconductor device die (10, 116) to the heat-sinking support structure (30, 100). In one embodiment, the semiconductor device die (10) includes die electrodes (20, 22), and the support structure (30) includes contact pads (40, 42) defined by at least some of the nanotube regions (52). The contact pads (40, 42) electrically and mechanically contact the die electrodes (20, 22). In another embodiment, the heat-sinking support structure (100) includes microchannels (120) arranged laterally in the support structure (100). At least some of the nanotube regions are disposed inside the microchannels (100).
(FR)Une puce de dispositif à semiconducteur (10, 116) est prévue sur une structure de support de dissipation thermique (30, 100). Des zones de nanotubes (52, 120) contenant des nanotubes (54, 126) sont prévues sur une surface de la structure de support de dissipation thermique (30, 100) ou dans celle-ci. Les zones de nanotubes (52, 120) sont conçues pour contribuer au transfert thermique de la puce de dispositif à semiconducteur (10, 116) à la structure de support de dissipation thermique (30, 100). Dans un mode de réalisation, la puce de dispositif à semiconducteur (10, 116) comprend des puces électrodes (20, 22) et la structure de support (30) comprend des plots de connexion (40, 42) définis par au moins certaines des zones de nanotubes (52). Les plots de connexion (40, 42) sont en contact électrique et mécanique avec les électrodes puces (20, 22). Dans un autre mode de réalisation, la structure de support de dissipation thermique (100) comprend des microcanaux (120) disposés latéralement dans celle-ci (100). Au moins certaines des zones de nanotubes sont placées à l'intérieur des microcanaux (100).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)