WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2005031807) WAFER-LEVEL MOAT STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/031807    International Application No.:    PCT/US2004/031583
Publication Date: 07.04.2005 International Filing Date: 27.09.2004
IPC:
H01L 21/44 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: FLIP CHIP TECHNOLOGIES, L.L.C. [US/US]; 3701 East University Drive, Phoenix, Arizona 85034 (US) (For All Designated States Except US).
JOHNSON, Michael, E. [US/US]; (US) (For US Only).
ELENIUS, Peter [US/US]; (US) (For US Only).
KIM, Deok Hoon [KR/US]; (US) (For US Only)
Inventors: JOHNSON, Michael, E.; (US).
ELENIUS, Peter; (US).
KIM, Deok Hoon; (US)
Agent: GREENBERG TRAURIG LLP; 2450 Colorado Avenue, Suite 400E, Santa Monica, California 90404 (US)
Priority Data:
10/672,165 26.09.2003 US
Title (EN) WAFER-LEVEL MOAT STRUCTURES
(FR) STRUCTURES A CAVITES AU NIVEAU DE LA PLAQUETTE
Abstract: front page image
(EN)A wafer-level CSP (200) includes at least one die (202) from a wafer. The wafer-level CSP has a plurality of solder ball pads (206), a solder ball (308) at each solder ball pad and a polymer collar (310) around each solder ball. A moat (204) is formed in the surface of a polymer layer (412) disposed on the wafer during manufacturing of the wafer-level CSP. A temporarily liquified residual (502) from the polymer collar, which occurs while the wafer is heated to the reflow temperature of the solder ball, flows from the polymer collar. The moat acts as a barrier to material flow, limiting the distance that the residual spreads while liquified. The residual from the polymer collar remains within a region (314) defined by the moat. A full-depth moat (312) extends completely through the polymer layer. Alternatively, a partial-depth moat (712 and 912) extends partially through the polymer layer. The abstract is submitted with the understanding that it will not be used to interpret or limit the scope or meaning of the claims pursuant to 37 C.F.R. §1.72(b).
(FR)L'invention concerne un boîtier CSP au niveau de la plaquette (200) comprenant au moins une puce (202) d'une plaquette. Le boîtier CSP au niveau de la plaquette présente une pluralité de plages de billes de soudure (206), une bille de soudure (308) au niveau de chaque plage de billes de soudure et un collier polymère (310) autour de chaque bille de soudure. Une cavité (204) est formée dans la surface d'une couche polymère (412) disposée sur la plaquette lors de la fabrication du boîtier CSP au niveau de la plaquette. Un résidu temporairement liquéfié (502) du collier polymère, qui apparaît lorsque la plaquette est chauffée à la température de refusion de la bille de soudure, s'écoule à partir du collier polymère. La cavité sert de barrière à l'écoulement des matières, limitant la distance sur laquelle le résidu s'étale lorsqu'il est liquéfié. Le résidu du collier polymère reste dans une zone (314) définie par la cavité. Une cavité de profondeur totale (312) traverse entièrement la couche polymère. Dans une variante, une cavité de profondeur partielle (712 et 912) traverse partiellement la couche polymère.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)