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1. (WO2005031781) PROCESS FOR PRODUCING DIAMOND ELECTRON EMISSION ELEMENT AND ELECTRON EMISSION ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/031781    International Application No.:    PCT/JP2004/014671
Publication Date: 07.04.2005 International Filing Date: 29.09.2004
IPC:
H01J 9/02 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 541-0041 (JP) (For All Designated States Except US).
TATSUMI, Natsuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAMBA, Akihiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIBAYASHI, Yoshiki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IMAI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TATSUMI, Natsuo; (JP).
NAMBA, Akihiko; (JP).
NISHIBAYASHI, Yoshiki; (JP).
IMAI, Takahiro; (JP)
Agent: NAKANO, Minoru; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1-3, Shimaya 1-chome Konohana-ku, Osaka-shi Osaka 554-0024 (JP)
Priority Data:
2003-340594 30.09.2003 JP
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCING DIAMOND ELECTRON EMISSION ELEMENT AND ELECTRON EMISSION ELEMENT
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN ELEMENT DE DIAMANT EMETTEUR D'ELECTRONS ET ELEMENT EMETTEUR D'ELECTRONS ASSOCIE
(JA) ダイヤモンド電子放出素子の製造方法ならびに電子放出素子
Abstract: front page image
(EN)There is provided a process comprising the steps of forming a template with indentation on a substrate surface and effecting heteroepitaxial growth of diamond on the substrate in an atmosphere containing a doping material. It is preferred that the crystal structure of slant surface of the template with indentation on the substrate have cubic system crystal orientation (111) and that the doping material be phosphorus. Further, it is preferred that the substrate consist of Si and that the slant surface of the template be Si(111) surface. Moreover, there is provided a diamond electron emission element comprising diamond having projections on its surface, wherein the slant surface of projections (1) consists of a surface including diamond (111) and wherein non-projection planar portion (2) includes a grain boundary and plane direction other than (100) surface or (110) surface.
(FR)L'invention concerne un procédé comprenant les étapes consistant à former un modèle avec une indentation sur une surface d'un substrat et à effectuer une croissance hétéroépitaxiale de diamant sur ce substrat dans une atmosphère contenant un matériau dopant. De préférence, la structure cristalline de la surface inclinée du modèle avec indentation sur le substrat possède une orientation des cristaux de type cubique (111) et le matériau dopant est du phosphore. En outre, le substrat consiste de préférence en Si et la surface inclinée du modèle est une surface de Si (111). De plus, l'invention concerne un élément de diamant émetteur d'électrons comportant un diamant possédant des éléments en saillie sur sa surface, la surface inclinée des projections (1) consistant en une surface comprenant un diamant (111) et la partie planaire sans élément en saillie (2) possédant une limite de grain et une direction de plan autre que celle de la surface (100) ou de la surface (110).
(JA) 基板の表面に凹状の鋳型を形成する工程と、ドーピング材料を含有する雰囲気中でダイヤモンドを前記基板上にヘテロエピタキシャル成長させる工程とを有する製造方法とする。前記基板の凹状の鋳型の斜面の結晶構造は、立方晶系結晶方位(111)を有し、前記ドーピング材料がリンであることが望ましい。また、前記基板は、Siであり、前記鋳型の斜面がSi(111)面であることが好ましい。本発明のダイヤモンド電子放出素子は、表面に突起を有するダイヤモンドであって、突起1の斜面がダイヤモンド(111)を含む面であり、突起でない平坦な部分2は、(100)面もしくは(110)面以外の面方位と粒界とを含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)