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1. (WO2005031762) MAGNETIC THIN FILM FOR HIGH FREQUENCY AND ITS PRODUCTION METHOD, AND MAGNETIC ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/031762    International Application No.:    PCT/JP2004/014405
Publication Date: 07.04.2005 International Filing Date: 30.09.2004
IPC:
H01F 10/13 (2006.01), H01F 17/00 (2006.01), H01F 41/04 (2006.01)
Applicants: TDK CORPORATION [JP/JP]; 13-1, Nihonbashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038272 (JP) (For All Designated States Except US).
CHOI, Kyung-Ku [KR/JP]; (JP) (For US Only).
MURASE, Taku [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: CHOI, Kyung-Ku; (JP).
MURASE, Taku; (JP)
Agent: MITAZAKI, Taiji; 2F, Oodai Building, 9-5, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
2003-342470 30.09.2003 JP
Title (EN) MAGNETIC THIN FILM FOR HIGH FREQUENCY AND ITS PRODUCTION METHOD, AND MAGNETIC ELEMENT
(FR) FILM MINCE MAGNETIQUE DESTINE A UNE UTILISATION HAUTE FREQUENCE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION, ET ELEMENT MAGNETIQUE
(JA) 高周波用磁性薄膜およびその作製方法ならびに磁気素子
Abstract: front page image
(EN)A multilayer film (1) is formed on a substrate (4) by alternating Co-based amorphous alloy layers (2) and natural oxide layers (3) of a natural oxide of the Co-based amorphous alloy (2), and the proportion of the volume of the natural oxide layers (3) to the total volume of the multilayer film (1) is 5 to 50%. With this, a magnetic thin film for high frequency and a magnetic element both usable in the high frequency range of the GHz band are produced. Alternatively, the magnetic thin film (1) can be produced by a method in which Co-based amorphous alloy layers (2) having a property that the direction in which the magnetic field is applied when the thin film is produced is the easy axis of magnetization and natural oxide layers (3) of a natural oxide of the Co-based amorphous alloy are alternated to form the magnetic thin film (1), and the easy axis of magnetization of the thus-formed multilayer film (1) is perpendicular to the direction in which the magnetic field is applied during the formation of the multilayer film (1).
(FR)L'invention concerne un film multicouche (1) formé sur un substrat (4) par alternance de couches (2) d'alliage amorphe à base de cobalt et de couches (3) d'oxyde naturel d'un oxyde naturel de l'alliage amorphe à base de cobalt, selon lequel la proportion du volume des couches (2) d'alliage amorphe à base de cobalt par rapport au volume total dudit film multicouche (1) est comprise entre 5 et 50 %. Un film mince magnétique destiné à une utilisation haute fréquence et un élément magnétique pouvant tous deux être utilisés dans la plage de fréquence élevée de la bande GHz sont également produits. En variante, le film mince magnétique (1) peut être obtenu par un procédé dans lequel des couches (2) d'alliage amorphe à base de cobalt présentent une propriété selon laquelle le sens d'application du champ magnétique lors de la production du film mince est l'axe aisé de magnétisation, et des couches (3) d'un oxyde naturel de l'alliage amorphe à base de cobalt sont alternées afin que soit formé ledit film mince magnétique (1), l'axe aisé de magnétisation dudit film multicouche (1) ainsi formé étant perpendiculaire au sens d'application du champ magnétique appliqué pendant la formation dudit film multicouche (1).
(JA) 基板(4)上に、Co系非晶質合金層(2)と、そのCo系非晶質合金(2)の自然酸化層(3)とを交互に積層して多層膜(1)を形成する。この多層膜(1)全体の体積に対する自然酸化層(3)の割合を5~50%とすることにより、GHz帯域の高周波領域で利用できる高周波用磁性薄膜および磁気素子が得られる。成膜時における磁場印加方向が磁化容易軸となる性質をもつCo系非晶質合金層(2)と、そのCo系非晶質合金の自然酸化層(3)とを交互に積層して多層膜(1)を形成し、この形成された多層膜(1)の磁化容易軸が、多層膜(1)の成膜時における磁場印加方向と直交するようにしてもよい。    
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)